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在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...
氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
高/低功率各不相同，射頻電路電源管理這門學(xué)問你真的懂么？
電源管理是一門科學(xué)藝術(shù)，它通過優(yōu)化輸入和輸出信號來最大化 RF 設(shè)備的效率和性能，這不是一件容易的事。每臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都有自己獨特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...
SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。
本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記，雖然標題是針對GaN偏置電路設(shè)計的一些基本準則，但實際上對GaAs也是適用的?；诨衔锇雽?dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)...
如何通過PyTorch實現(xiàn)卷積GAN構(gòu)建？
人們曾經(jīng)認為生成的任務(wù)是不可能的，并且被 GAN 的力量所震驚，因為傳統(tǒng)上，根本沒有任何事實可以比較我們生成的圖像。
隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...
面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。
GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標簽：功率器件GaN開關(guān)器件 2093 0
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...
氮化鎵（GaN）的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下...
Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計
過去幾年，由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用，加之GaN技術(shù)的普及，使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài)，小功率電源...
什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
那么，這是否意味著GaN將在每種應(yīng)用中取代GaAs？答案是否定的，這就是為什么Microchip生產(chǎn)分立式以及GaN和GaAs MMIC產(chǎn)品，并擁有業(yè)內(nèi)...
例如，多家半導(dǎo)體制造商開發(fā)了片上系統(tǒng) （SoC），其中包括整個射頻 （RF） 信號鏈和有源相控陣天線，該天線在微型封裝中集成了數(shù)十個元件。硅鍺（SiGe...
UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應(yīng)穩(wěn)定和可靠的設(shè)備，被廣泛應(yīng)用在計算機、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
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