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gan技術(shù)

E-GaN電源芯片U8722FE產(chǎn)品概述

E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào)，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝。

2025-05-26 標(biāo)簽：芯片 GaN 電源芯片 243 0

氮化鎵GaN快充芯片U8732的特點(diǎn)

氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋(píng)果手...

2025-05-23 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 426 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27611 是一款針對(duì) 5V 驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，專門(mén)針對(duì)增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋址。驅(qū)動(dòng)電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...

2025-05-20 標(biāo)簽：FET GaN 灌電流 281 0

LM5113-Q1系列用于 GaNFET 的汽車級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵（GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵 GaN 338 0

LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

該 LMG1205 設(shè)計(jì)用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵（GaN） FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET UVLO GaN 262 0

UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，UVLO 以 GND 或分離輸出為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET （UCC5350SBD）。...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET UVLO GaN 263 0

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET FET GaN 318 0

基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>

2025-05-19 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)封裝 GaN 528 0

UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 195 0

LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強(qiáng)型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，適用于高開(kāi)關(guān)頻率汽車應(yīng)用。窄脈沖寬度能力、快速開(kāi)關(guān)規(guī)格和...

2025-05-17 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 445 0

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...

2025-05-17 標(biāo)簽：可編程晶體管 GaN 381 0

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-16 標(biāo)簽：晶體管 UVLO GaN 294 0

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān) 240 0

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān) 240 0

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)GaN 310 0

快充電源IC U8731的工作原理

GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源ic U...

2025-05-15 標(biāo)簽：GaN 電源IC 快充 340 0

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 257 0

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...

2025-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 573 0

UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管 GaN 253 0

48V高效降壓電源方案：英諾賽科推出2kW四相交錯(cuò)設(shè)計(jì)

英諾賽科針對(duì)48V架構(gòu)開(kāi)發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...

2025-05-12 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 724 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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