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車規(guī)級氮化鎵(GaN)技術(shù)有何優(yōu)勢?
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 標簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1487 0
越來越多的無線和電池供電設(shè)備越來越多地滲透到日常生活中,其中包括電動汽車(EV)與太陽能儲能系統(tǒng)等應(yīng)用,如何對電池進行高效率的管理將是重要課題。本文將為...
2023-06-28 標簽:MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1298 0
三菱電機采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行
三菱電機集團近日(2023年6月8日)宣布,該公司已開發(fā)出首款使用單個放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術(shù)已被證明可用于...
2023-06-27 標簽:通信系統(tǒng)三菱電機GaN 1189 0
導(dǎo) 讀 缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中,但產(chǎn)品瑕疵率非常低,甚至是沒有,缺陷樣本的不充足使得需...
缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中,但產(chǎn)品瑕疵率非常低,甚至是沒有,缺陷樣本的不充足使得需要深度學...
2023-06-26 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN缺陷檢測 1511 0
意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列高壓GAN轉(zhuǎn)換器簡介
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器,可在寬范圍工作電壓(9 V至2...
2023-06-21 標簽:轉(zhuǎn)換器usb意法半導(dǎo)體 857 0
效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點,尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來,第三代GaN半導(dǎo)...
愛美雅科技引領(lǐng)快充市場:TP44100內(nèi)置GaN MOS芯片的240W快充解決方案
在現(xiàn)代社會中,移動設(shè)備和電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的一部分。然而,隨著電子產(chǎn)品的功能不斷增加,用戶對于快速充電的需求也越來越迫切。作為一家領(lǐng)先的...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地...
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 標簽:功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1057 0
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...
? 3D對象的生成模型在VR和增強現(xiàn)實應(yīng)用中越來越受歡迎。但使用標準的3D表示(如體素或點云)來訓練這些模型是具有挑戰(zhàn)性的,并且需要復(fù)雜的工具來進行適當...
近日,由深圳大學和深圳信息職業(yè)技術(shù)學院組成的科研團隊,研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...
HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源,NH3為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經(jīng)過幾十年的不...
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
最新成果展示:AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)與應(yīng)用
由于AlN和GaN之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配,導(dǎo)致很難獲得高質(zhì)量的AlN/GaN布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflect...
2023-06-07 標簽:激光器數(shù)據(jù)庫GaN 938 0
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