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作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無(wú)處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1623 0
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1282 0
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)...
友尚推出基于ST ViperGaN50 的先進(jìn)準(zhǔn)諧振反激式高效能高密度15V/3A 45W GaN功率電源轉(zhuǎn)換器
一款基于 VIPERGAN50 的隔離式電源是一款新型離線高壓轉(zhuǎn)換器,具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶體管,專為準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),能夠...
2023-04-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體GaN 1204 0
基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標(biāo)準(zhǔn)的參考電源設(shè)計(jì)
專門設(shè)計(jì)來(lái)控制ZVS非互補(bǔ)有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器,以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。
2023-04-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN快充 1270 0
基于ST 意法半導(dǎo)體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體...
2023-03-16 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaNType 1422 0
氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽:功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5117 1
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...
數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng),而SiLM824...
2023-08-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件GaN 1808 0
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能,并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描...
在建模實(shí)驗(yàn)中,imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實(shí)現(xiàn)的性能:全 CMOS 實(shí)現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...
2023-08-14 標(biāo)簽:功率放大器移動(dòng)通信GaN 1062 0
年復(fù)一年,越來(lái)越多的用戶通過(guò)無(wú)線方式傳輸越來(lái)越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效,第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出,業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來(lái)...
用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。 與Si型紫外線傳感器相比,新產(chǎn)品對(duì)UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。 通過(guò)使用GaN,產(chǎn)品的...
幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...
如今,我們已經(jīng)無(wú)法想象沒(méi)有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來(lái)越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過(guò)程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
車載充電器(OBC)是電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2023-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變換器DC-DC 1883 0
氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中,需要高功率的射頻信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)每個(gè)天線元素,這要求對(duì)高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的...
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