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gan技術(shù)

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不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件,它利用氮化鎵材料的特性來實...

2023-10-16 標(biāo)簽:電容器功率器件氮化鎵 1908 0

晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

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硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用?;诠枰r底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進行工程化...

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2023-10-13 標(biāo)簽:芯片驅(qū)動器FET 1070 0

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2023-10-09 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 5222 1

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2023-10-07 標(biāo)簽:電動汽車汽車電子GaN 584 0

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無論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。

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在產(chǎn)品設(shè)計、電子電路應(yīng)用中,會經(jīng)常使用到負電壓電源。

2023-09-27 標(biāo)簽:BUCK晶體管GaN 1.4萬 0

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作者:得捷電子 事實證明,高壓 LED 照明可以有效地取代高強度放電 (HID) 照明等先前技術(shù)。隨著高壓 LED照明得到采用,許多制造商爭相生產(chǎn)并在各...

2023-10-03 標(biāo)簽:led二極管轉(zhuǎn)換器 980 0

分階段雷達的電源解決方案

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2023-09-16 標(biāo)簽:濾波器SiCGaN 1675 0

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新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上,對于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢,...

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GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵(GaN-on-Si)目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽:射頻無線電氮化鎵 1749 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用?

如今,越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 687 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

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雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù),但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 1430 0

氮化鎵的市場在哪些領(lǐng)域?封裝技術(shù)是怎樣的?

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2023-09-07 標(biāo)簽:封裝技術(shù)氮化鎵GaN 692 0

通過單片GaN集成提高性能,同時減小尺寸和成本

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15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 (GaN) 異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和激光雷達脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽:emi雷達柵極 1.0萬 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1617 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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