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      gan技術(shù)

      為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？

      擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì)，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類(lèi)型。

      2024-02-29 標(biāo)簽：CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 686 0

      目前存在哪些與800V電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)

      目前存在哪些與800V電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)

      電動(dòng)汽車(chē) (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場(chǎng)對(duì)優(yōu)化設(shè)計(jì)、降低成本和提升車(chē)輛運(yùn)行效率的需求，并為產(chǎn)品測(cè)試提出了新的難題。

      2024-02-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1220 0

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標(biāo)簽：SBDSiCGaN 2122 0

      LED顯示屏是什么材質(zhì) led顯示屏參數(shù)設(shè)置

      LED顯示屏是一種基于LED（Light Emitting Diode）技術(shù)的顯示裝置，用于在各種場(chǎng)合中展示文字、圖像、視頻等內(nèi)容。它由多個(gè)LED像素點(diǎn)...

      2024-02-03 標(biāo)簽：LED顯示屏參數(shù)半導(dǎo)體材料 5942 0

      寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

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      作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯 整個(gè)交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)徹底的變革，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車(chē)逐漸讓位于污染更少的電動(dòng)汽車(chē)...

      2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 1372 0

      使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

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      作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，完全不依賴(lài)純電池設(shè)計(jì)可能是...

      2024-02-13 標(biāo)簽：電源DCGaN 1057 0

      一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管

      一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管

      這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開(kāi)始占領(lǐng)價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。例如，碳化硅現(xiàn)在是電動(dòng)汽...

      2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管SiC 566 0

      10項(xiàng)優(yōu)化GaN PCB的建議

      自從 40 多年前，第一款開(kāi)關(guān)電源問(wèn)世以來(lái)，PCB 的布局就一直是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的一環(huán)。無(wú)論采用哪種晶體管技術(shù)，我們必須理解和管理 PCB 布局...

      2024-01-16 標(biāo)簽：pcb晶體管GaN 762 0

      如何從零開(kāi)始構(gòu)建深度學(xué)習(xí)項(xiàng)目？（如何啟動(dòng)一個(gè)深度學(xué)習(xí)項(xiàng)目）

      如何從零開(kāi)始構(gòu)建深度學(xué)習(xí)項(xiàng)目？（如何啟動(dòng)一個(gè)深度學(xué)習(xí)項(xiàng)目）

      性能重大提升的背后往往是模型設(shè)計(jì)的改變。不過(guò)有些時(shí)候?qū)δＰ瓦M(jìn)行微調(diào)也可以提升機(jī)器學(xué)習(xí)的性能。最終的判斷可能會(huì)取決于你對(duì)相應(yīng)任務(wù)的基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果。

      2024-01-11 標(biāo)簽：GaN機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 496 0

      氮化鎵芯片用途有哪些

      氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...

      2024-01-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2558 0

      氮化鎵是什么化合物類(lèi)型

      氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...

      2024-01-10 標(biāo)簽：傳感器光電器件化合物 2246 0

      SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)如何發(fā)展

      SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)如何發(fā)展

      氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方...

      2024-01-10 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)光伏SiC 441 0

      氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤(pán)點(diǎn)

      氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤(pán)點(diǎn)

      同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來(lái)與碳化硅作比較，雖然沒(méi)有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...

      2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2806 0

      氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

      氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...

      2024-01-09 標(biāo)簽：控制器功率器件GaN 4875 0

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率器件

      功率器件 (Power Devices) 通常也稱(chēng)為電力電子器件，是專(zhuān)門(mén)用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓...

      2024-01-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率器件 2588 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

      傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變，成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。

      2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 631 0

      航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件（下）

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      由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會(huì)得到更大...

      2024-01-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體GaN 1252 0

      航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件（上）

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      在中國(guó)深空探索及載人航天任務(wù)逐漸增多的背景下，對(duì)電能的需求也隨之上升，從而推動(dòng)了對(duì)宇航電源的高效率與小型化的設(shè)計(jì)需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟，既要為...

      2024-01-04 標(biāo)簽：電源GaN航空 2280 0

      基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理

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      一些光柵結(jié)構(gòu)也實(shí)現(xiàn)了向二維方向的拓展，使TE、TM兩個(gè)極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。

      2023-12-28 標(biāo)簽：mems發(fā)射器氣體傳感器 2035 0

      讓AC/DC電源適配器體積縮小一半、效率超95%，剖析TI低功耗GaN新品

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      電源適配器作為電子設(shè)備的核心組件之一，隨著電子設(shè)備升級(jí)迭代速度加快，電源適配器也在經(jīng)歷著前所未有的快速發(fā)展。為了提高充電效率和安全性，電源適配器在高性能...

      2023-12-26 標(biāo)簽：電源ti電源適配器 3733 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線(xiàn)連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線(xiàn)、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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        無(wú)線(xiàn)設(shè)備一般指無(wú)線(xiàn)電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線(xiàn)電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線(xiàn)、饋線(xiàn)和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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        　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
      • 藍(lán)牙m(xù)esh
        藍(lán)牙m(xù)esh
        +關(guān)注
        藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
      • 藍(lán)牙4.2
        藍(lán)牙4.2
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