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#參考設(shè)計#(900 V PowiGaN 開關(guān))的 60 W 隔離反激式適配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 開關(guān))的 60 W 隔離反激式適配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電...
2024-08-21 標(biāo)簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 1554 0
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料...
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢,但同時也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2937 0
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),...
在GaN快充問世的前兩年,許多人還處在觀望狀態(tài),然而再經(jīng)過兩年之后,GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟,并席卷快充市場。GaN等第三代半導(dǎo)體的出現(xiàn),為各相...
SiC 技術(shù)相對于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動和充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件,但...
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美(ons...
GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...
在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問題
歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中,我們介紹了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,以及一系列旨在減少模擬信號鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳...
2024-07-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器德州儀器GaN 827 0
納芯微GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢
自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向,而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD...
GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動
氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動。在本文中,我們將...
2024-06-17 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動GaN智能功率模塊 1726 0
#參考設(shè)計#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準(zhǔn)諧振開關(guān)IC的電器,可實現(xiàn)最小Transform...
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