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廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺(tái)方案
廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺(tái),集成...
2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 2323 0
45W電源芯片U8765的高壓?jiǎn)?dòng)功能
高壓?jiǎn)?dòng)是電源芯片在工作中啟動(dòng)的一種方式,通常是在電源芯片啟動(dòng)時(shí)加入一個(gè)高壓信號(hào),使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓?jiǎn)?dòng)...
2024-12-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路GaN電源芯片 882 0
GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 3416 0
#參考設(shè)計(jì)#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源(使用InnoMux2-EP(1700V PowiGaN))
60 W反激式轉(zhuǎn)換器,具有兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的CV輸出,使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP(IMX2353F-H415),用于具有高...
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...
納芯微提供全場(chǎng)景GaN驅(qū)動(dòng)IC解決方案
作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...
2024-11-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)ICGaN 1122 0
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...
如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來的挑戰(zhàn)
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...
2024-09-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiCGaN 1080 0
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
基于AC驅(qū)動(dòng)的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動(dòng)高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動(dòng)技術(shù)會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢(shì),聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對(duì)過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn),通...
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案,該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成,進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待...
GaN FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢(shì)
本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中,且無(wú)需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽:傳感器場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 711 0
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