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使用集成GaN技術實現(xiàn)小尺寸ACDC適配器應用資料
隨著快速充電系統(tǒng)的趨勢和不斷增長的電力需求,迫切需要創(chuàng)建占地面積小、方便、便攜的設計。小型化、高功率密度的電源設計在消費類AC/DC市場中占據(jù)了迫在眉睫...
2025-02-25 標簽:適配器充電系統(tǒng)開關頻率 398 0
如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應和Trapping效應模型參數(shù)?
氮化鎵(GaN)技術在5G基站、衛(wèi)星通信、國防系統(tǒng)和其他應用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。
同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關,可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為...
近日,“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...
金剛石基GaN問世 化合物半導體行業(yè)進入第三波材料技術浪潮
材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...
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