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該電路采用IC (MAX971),包括漏極開(kāi)路比較器和精密1%電壓基準(zhǔn),監(jiān)測(cè)負(fù)電源電壓的大小,并提供故障情況的數(shù)字警告。如需監(jiān)測(cè)多個(gè)負(fù)電壓,請(qǐng)使用MAX...
可編程線性霍爾效應(yīng)集成電路(霍爾IC)-GS302
GS302通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化,輸出等比例霍爾電勢(shì),從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。
作為自動(dòng)駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源,半導(dǎo)體激光器的市場(chǎng)變得活躍起來(lái)。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)的VCSEL(Vertical Cav...
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作...
GaAlAs/GaAs半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)述
可見(jiàn)光激光器的應(yīng)用是十分廣泛的,甚至有人說(shuō)可見(jiàn)激光是比LED更棒的光源。但是其發(fā)展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)工藝。
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車(chē)、公共汽車(chē)和其他類(lèi)型的公共交通工具。
無(wú)線設(shè)計(jì)LNA 和PA 的作用和要求介紹
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號(hào),這些信號(hào)通常是微伏數(shù)量級(jí)的信號(hào)或者低于-100 dBm,然后將該信號(hào)放大至一個(gè)更有用的水平,通常約為0....
2023-02-06 標(biāo)簽:LNAGaAs無(wú)線設(shè)計(jì) 4313 0
寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大,對(duì)應(yīng)電子躍遷...
2023-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaAs寬禁帶半導(dǎo)體 9705 0
無(wú)線設(shè)計(jì)LNA和PA的作用和要求及其主要特性
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號(hào),這些信號(hào)通常是微伏數(shù)量級(jí)的信號(hào)或者低于-100 dBm,然后將該信號(hào)放大至一個(gè)更有用的水平,通常約為0....
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開(kāi)關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 標(biāo)簽:GaAsLFCSPSPDT開(kāi)關(guān) 1311 0
產(chǎn)品教程|Nanodcal 材料學(xué)與化學(xué)(生成能02)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
介紹一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開(kāi)關(guān)
HMC849ALP4CE是一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開(kāi)關(guān),采用低成本無(wú)引腳表貼封裝。
光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應(yīng)用的長(zhǎng)期挑戰(zhàn),例如芯片級(jí)光互連、片上光學(xué)系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應(yīng)用中,光發(fā)射機(jī)通常被設(shè)想為鍵合到硅集成電...
激光器都是在外延的基礎(chǔ)上做出芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),外延厚度2寸的在350um,4寸的在460um左右,到芯片后期,都需要對(duì)晶圓進(jìn)行減薄,厚度有做到80um的,...
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器,它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù),在實(shí)現(xiàn)未來(lái)的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
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