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  與平面工藝相比,F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝,F(xiàn)inFET降低了工作電壓,提高了晶體管效率,對(duì)靜態(tài)功耗(線性)和動(dòng)態(tài)功耗(二次方)都有積極作用??晒?jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工藝高37%。

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