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與平面工藝相比,F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝,F(xiàn)inFET降低了工作電壓,提高了晶體管效率,對(duì)靜態(tài)功耗(線性)和動(dòng)態(tài)功耗(二次方)都有積極作用??晒?jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工藝高37%。
用于四頻 GSM / GPRS / ED 中頻 LNA 前端模塊(B25、B3、B 2.4 GHz、256 QAM WLAN 2.4 GHz、64 QAM WLAN 2.4 GHz WLAN 前端模塊 用于 WLAN/ 的 2.4 GHz、2 2.4 GHz、256 QAM 前端模塊 SkyOne? LiTE 低頻段前端模塊 5 GHz 802.11ac WLAN 帶增益的 RX 分集 FEM(B3、B3 用于 Zigbee 技術(shù)應(yīng)用/Threa 400 至 510 MHz 前端模塊,適
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