ASML考慮推出通用EUV光刻平臺(tái)

范登布林克指出，更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進(jìn)一步解釋說，Hyper NA 光刻機(jī)將簡(jiǎn)化先進(jìn)制程生產(chǎn)流程，避免因使用 High NA 光刻機(jī)進(jìn)行雙...

2024-05-23 標(biāo)簽：分辨率光刻機(jī)EUV 764 0

英特爾競(jìng)購(gòu)High-NA EUV設(shè)備，臺(tái)積電決定回避

　另一方面，臺(tái)積電的年度技術(shù)論壇正在美國(guó)和歐洲如火如荼地進(jìn)行，備受世人矚目的是該公司計(jì)劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù)，該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級(jí)電軌架構(gòu)。

2024-05-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管EUV 682 0

臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)

據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計(jì)...

2024-05-17 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電EUV 1444 0

英特爾推進(jìn)面向未來節(jié)點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng)新，在2025年后鞏固制程領(lǐng)先性

英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。...

2024-05-16 標(biāo)簽：英特爾光刻EUV 661 0

臺(tái)積電未確定是否采購(gòu)阿斯麥高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)

盡管High NA EUV光刻機(jī)有望使芯片設(shè)計(jì)尺寸縮減達(dá)三分之二，但芯片制造商需要權(quán)衡利弊，考慮其高昂的成本及ASML老款設(shè)備的可靠性問題。

2024-05-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電EUVASML 693 0

英特爾完成首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)安裝，助力代工業(yè)務(wù)發(fā)展

　知情人士透露，由于ASML高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能有限，每年僅能產(chǎn)出5至6臺(tái)，因此英特爾將獨(dú)享初始庫(kù)存，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和SK海力士預(yù)計(jì)需等到明年下半年...

2024-05-08 標(biāo)簽：英特爾EUVASML 1112 0

李在镕會(huì)長(zhǎng)訪問蔡司總部，強(qiáng)化半導(dǎo)體技術(shù)和高端設(shè)備合作

蔡司作為ASML EUV光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)唯一供應(yīng)商，其提供的三萬余個(gè)組件構(gòu)成了每臺(tái)EUV光刻機(jī)的核心部分，同時(shí)在EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域持有超過2000項(xiàng)關(guān)鍵專利。

2024-04-29 標(biāo)簽：EUVASML蔡司 851 0

臺(tái)積電表示A16工藝不需NAEU，新一代CoWoS封裝獲重大突破

在封裝技術(shù)的研發(fā)道路上，臺(tái)積電從未停止過前進(jìn)的腳步。而除了CoWoS封裝技術(shù)的巨大進(jìn)展，該公司還首次對(duì)外公布了其A16制程工藝。

2024-04-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電EUVCoWoS 1260 0

英特爾率先推出業(yè)界高數(shù)值孔徑 EUV 光刻系統(tǒng)

來源：Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業(yè)界首個(gè)高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。 新設(shè)備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能...

2024-04-26 標(biāo)簽：英特爾EUV光刻系統(tǒng) 755 0

臺(tái)積電公布創(chuàng)新芯片技術(shù)A16，將于2026年下半年投入量產(chǎn)

Kevin Zhang還進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了人工智能芯片廠商對(duì)A16技術(shù)的熱切期待。他表示：“他們渴望充分發(fā)揮我們制程的全部性能，以實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)的最佳優(yōu)化。

2024-04-25 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工芯片制造 1262 0

英特爾突破技術(shù)壁壘：首臺(tái)商用High NA EUV光刻機(jī)成功組裝

英特爾的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正致力于對(duì)這臺(tái)先進(jìn)的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行細(xì)致的校準(zhǔn)工作，以確保其能夠順利融入未...

2024-04-22 標(biāo)簽：處理器英特爾光刻機(jī) 1395 0

ASML公司發(fā)布2024財(cái)年一季報(bào)，較上季度降幅達(dá)到27%

該季度ASML的凈銷售額達(dá)到53億歐元，較上季度有所下滑，降幅達(dá)到27%。

2024-04-19 標(biāo)簽：光刻機(jī)半導(dǎo)體制造EUV 1022 0

臺(tái)積電發(fā)布Q1財(cái)報(bào) 地震損失約為6.6億元人民幣

臺(tái)積電對(duì)于未來的生產(chǎn)前景充滿信心，并預(yù)計(jì)將在第二季度內(nèi)有效彌補(bǔ)大部分生產(chǎn)損失。

2024-04-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓EUV 693 0

英特爾完成高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，將用于14A制程

半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）于去年底在社交媒體上發(fā)布照片，揭示已向英特爾提供第一套高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。如今英特爾宣布已完成組裝，這無疑...

2024-04-19 標(biāo)簽：英特爾EUV半導(dǎo)體設(shè)備 849 0

臺(tái)積電營(yíng)收強(qiáng)勢(shì)攀升，AI/HPC業(yè)務(wù)表現(xiàn)搶眼

從客戶構(gòu)成來看，臺(tái)積電在2023年的營(yíng)收中，蘋果占據(jù)了25%的份額，穩(wěn)居第一。

2024-04-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電蘋果AI 776 0