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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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Intel還在努力推進(jìn)7nm工藝，最快2021年量產(chǎn)

　7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。

2019-10-12 標(biāo)簽：處理器晶體管 EUV 3019 0

臺(tái)積電首個(gè)EUV工藝的N7+開始向客戶交付產(chǎn)品

10月7日，臺(tái)積電宣布，其業(yè)界首款可商用的極紫外（EUV）光刻技術(shù)七納米plus（N7+）將向客戶交付產(chǎn)品。采用EUV技術(shù)的N7+工藝建立在臺(tái)積電成功的...

2019-10-09 標(biāo)簽：臺(tái)積電光刻 EUV 7269 0

臺(tái)積電宣布7納米強(qiáng)效版制程已大量進(jìn)入市場(chǎng) 2020年第一季將試產(chǎn)6納米制程技術(shù)

臺(tái)積電宣布，其領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版（N7+）制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于臺(tái)積電成功的...

2019-10-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電 EUV 3443 0

曝Intel已從今年8月份開始訂購(gòu)用于7nmEUV工藝節(jié)點(diǎn)的材料和設(shè)備數(shù)據(jù)中心GPU或首發(fā)

Intel 10nm處理器已經(jīng)量產(chǎn)發(fā)售，明年預(yù)計(jì)會(huì)在市場(chǎng)上井噴，推出桌面CPU等產(chǎn)品。

2019-09-21 標(biāo)簽：gpu intel EUV 2698 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次公開亮相談DARM技術(shù)的未來

在談到DRAM技術(shù)未來的發(fā)展時(shí)，平博士首先強(qiáng)調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過改進(jìn)，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電...

2019-09-19 標(biāo)簽：EUV 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2715 0

7nm節(jié)點(diǎn)后光刻技術(shù)從DUV轉(zhuǎn)至EUV，設(shè)備價(jià)值劇增

芯片行業(yè)從20世紀(jì)90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長(zhǎng)范圍是10~400nm）用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限，比如容...

2019-10-01 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 8669 0

實(shí)現(xiàn)3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)需要突破哪些半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)

將互連擴(kuò)展到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及以下需要多項(xiàng)創(chuàng)新。IMEC認(rèn)為雙大馬士革中的單次顯影EUV，Supervia結(jié)構(gòu)，半大馬士革工藝以及后段（BEOL）中的附加...

2019-09-15 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 IMEC 7770 0

EUV工藝不同多重圖形化方案的優(yōu)缺點(diǎn)及新的進(jìn)展研究

與過去相比，研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲(chǔ)器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個(gè)選項(xiàng)，例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IM...

2019-09-05 標(biāo)簽：芯片 euv 8205 0

ASML在未來將如何持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

AI、5G應(yīng)用推動(dòng)芯片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造，半導(dǎo)體設(shè)備商遂陸續(xù)推出新一代方案。AI、5G應(yīng)用...

2019-08-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV ASML 2700 0

Litho路障威脅到40納米以下的芯片生產(chǎn)

加利福尼亞州圣何塞 - 制造商設(shè)備供應(yīng)商佳能公司的一位官員警告說，下一代平版印刷術(shù)（NGL）面臨著新的障礙，可能會(huì)威脅到IC產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向低于40納米的芯片制造業(yè)。

2019-09-01 標(biāo)簽：芯片 EUV 2231 0

日本首次批準(zhǔn)向韓國(guó)出口EUV光刻膠

7月1日，日本政府宣布將韓國(guó)移除對(duì)外貿(mào)易白名單，韓國(guó)進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請(qǐng)，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板...

2019-08-11 標(biāo)簽：三星電子 EUV 光刻膠 3775 0

臺(tái)積電時(shí)程規(guī)劃領(lǐng)先業(yè)界并積極備妥產(chǎn)能三星加速時(shí)程緊咬臺(tái)積電

臺(tái)積電、Samsung與Intel在先進(jìn)制程發(fā)展的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系備受市場(chǎng)矚目。過去先進(jìn)制程發(fā)展除了解決微縮閘極寬度上的困難外，EUV光刻機(jī)設(shè)備性能也是關(guān)鍵影響...

2019-08-08 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 intel 2795 0

三星表示2020年7nmEUV生產(chǎn)線將如期量產(chǎn) 并計(jì)劃再建設(shè)另外的7nmEUV工廠

盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令，預(yù)計(jì)多達(dá)857種重要材料對(duì)韓國(guó)出口都會(huì)受到管制影響，此舉可能會(huì)影響韓國(guó)公司的半導(dǎo)體生產(chǎn)，不過三星似乎并沒有因此停止...

2019-08-05 標(biāo)簽：三星電子 EUV 2562 0

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢

除了臺(tái)積電，三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn)：7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后，按照官方最新給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5n...

2019-08-02 標(biāo)簽：三星電子 EUV 3189 0

三星稱在GAA技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電一年更超前英特爾兩到三年

盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒，三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時(shí)預(yù)料將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片，名為「環(huán)...

2019-08-02 標(biāo)簽：三星電子晶圓 EUV 3577 0

關(guān)于EUV光刻的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用以及所面臨的的困境

不久之前，半導(dǎo)體行業(yè)還堅(jiān)持認(rèn)為 EUV 掃描儀可以不使用防護(hù)膜，只需要在潔凈的環(huán)境中就可以加工晶圓。之后芯片制造商改變了自己的看法，表示無法保證 EUV...

2019-09-05 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 EUV 9993 0

關(guān)于EUV機(jī)臺(tái)的性能分析和應(yīng)用介紹

臺(tái)積電方面也同時(shí)參與。當(dāng)時(shí)消息顯示，臺(tái)積電將以8.38億歐元購(gòu)買ASML的5%股權(quán)，并同意在下一代光刻技術(shù)如超紫外技術(shù)和450毫米光刻設(shè)備的研發(fā)上向AS...

2019-09-04 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 EUV 3100 0

關(guān)于EUV的性能分析和挑戰(zhàn)

CD-SEM和相關(guān)工具可能會(huì)遇到信號(hào)與噪聲問題，從而導(dǎo)致所謂CD偏差的問題。為了解決這個(gè)問題，F(xiàn)ractilia有一個(gè)能夠測(cè)量LER和通孔失效的軟件工具...

2019-09-03 標(biāo)簽：晶圓晶體管 EUV 7457 0

關(guān)于ASML EUV工藝的最新信息進(jìn)展

在上周的Semicon West上，ASML提供了有關(guān)當(dāng)前EUV系統(tǒng)以及正在開發(fā)的0.55高NA系統(tǒng)的最新信息。

2019-07-27 標(biāo)簽：EUV ASML 4055 0

三星痛下決心,自研極紫外光(EUV)光阻劑

尋找光阻劑替代供應(yīng)商難度很高，就算找到新供應(yīng)來源，所有制程和設(shè)計(jì)須重新測(cè)試，至少得花1年時(shí)間才能運(yùn)作。

2019-07-26 標(biāo)簽：三星電子 EUV 3435 0

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