全球半導(dǎo)體業(yè)不斷進(jìn)步積極變革

之前是英特爾一家獨(dú)大，如今它仍是很大，但是真正沖在前面的是蘋果、華為、高通、三星、Nvidia、AMD、Xilinx等。然而細(xì)想起來(lái)，如果缺乏臺(tái)積電，及...

2020-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電euv 2332 0

美國(guó)泛林宣布與ASML、IMEC合作開發(fā)出新的EUV光刻技術(shù) 成本大幅降低

2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠...

2020-02-29 標(biāo)簽：光刻IMECEUV 3660 0

半導(dǎo)體巨頭為什么追捧EUV光刻機(jī)

近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也...

2020-02-29 標(biāo)簽：處理器cpueuv 3615 0

三星6nm V1生產(chǎn)線投入使用后，受惠的是什么

據(jù)了解，V1生產(chǎn)線于2018年2月正式破土動(dòng)動(dòng)建設(shè)，在2019年下半年開始測(cè)試晶圓生產(chǎn)，到了今年第一季度則可以把第一批產(chǎn)品交付給客戶。

2020-02-24 標(biāo)簽：三星電子euv 2232 0

光刻機(jī)行業(yè)需求空間廣闊，國(guó)產(chǎn)設(shè)備有優(yōu)勢(shì)嗎？

光刻機(jī)技術(shù)壁壘高且投資占比大，芯片尺寸的縮小以及性能的提升依賴于光刻技術(shù)的發(fā)展。

2020-02-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)euv 4003 0

三星在韓新開EUV晶圓代工產(chǎn)線V1，總投入將達(dá)60億美元

據(jù)了解，V1產(chǎn)線于2018年2月動(dòng)工，2019年下半年開始測(cè)試晶圓生產(chǎn)，首批產(chǎn)品今年一季度向客戶交付。目前，V1已經(jīng)投入7nm和6nm EUV移動(dòng)芯片的...

2020-02-21 標(biāo)簽：三星電子晶圓euv 2477 0

三星宣布全球首座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠開始量產(chǎn)

三星宣布，位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。

2020-02-21 標(biāo)簽：三星電子EUV 2612 0

三星6nm和7nm EUV開始批量生產(chǎn)

根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開...

2020-02-21 標(biāo)簽：三星電子euv 2457 0

三星最先進(jìn)EUV產(chǎn)線投用：7nm產(chǎn)能今年增加兩倍

V1產(chǎn)線/工廠2018年2月動(dòng)工，2019年下半年開始測(cè)試晶圓生產(chǎn)，首批產(chǎn)品今年一季度向客戶交付。目前，V1已經(jīng)投入7nm和6nm EUV移動(dòng)芯片的生產(chǎn)...

2020-02-21 標(biāo)簽：三星電子EUV 4027 0

到2024年，半導(dǎo)體研發(fā)將促EUV光刻、3納米、3D芯片堆疊技術(shù)增長(zhǎng)

據(jù)IC Insights發(fā)布的最新2020 McClean報(bào)告顯示，半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)的投入將在2024年出現(xiàn)明顯成效包括轉(zhuǎn)向EUV光刻，低于3納米制程技術(shù)...

2020-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體3D芯片EUV 6785 0

三星與臺(tái)積電投入巨額資金加速3nm工藝研發(fā) 將只有土豪公司才用得起

根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝...

2020-01-16 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電EUV 3041 0

摩爾定律漸遠(yuǎn)下的提升，EUV被稱為“突破摩爾定律的救星”

前，行業(yè)DRAM三巨頭都沒有大規(guī)模使用EUV，但隨著制程工藝的提升，節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步微縮，同時(shí)，EUV的性能和成本也在不斷優(yōu)化，DRAM將迎來(lái)EUV爆發(fā)期。

2020-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律EUV 2527 0

EUV光刻有望成為摩爾定律的“救星”？

“光刻技術(shù)的‘雕刻’精細(xì)度，直接決定了元器件、電路等在芯片上所占的體積。因而，光刻是決定芯片能否按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的一項(xiàng)重要技術(shù)，如果沒有光刻技術(shù)的進(jìn)...

2020-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律EUV 2590 0

ASML延遲交付EUV設(shè)備給中國(guó)，或因?yàn)槊绹?guó)的多次施壓

據(jù)路透社報(bào)道，知情人士指出，美國(guó)政府正竭力阻止荷蘭向中國(guó)出售芯片制造技術(shù)（EUV設(shè)備），美國(guó)國(guó)務(wù)卿邁克·龐培曾多次游說(shuō)荷蘭政府，而白宮官員則向荷蘭國(guó)防部...

2020-01-06 標(biāo)簽：euvasml 3589 0

三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨，3nm GAE工藝也將研發(fā)完成

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電euv 3655 0

三星開始批量生產(chǎn)6納米芯片,縮小與臺(tái)積電差距

三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品，自開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來(lái)，三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短，特別是...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電euv 3432 0

三星3納米芯片面積比5納米縮小35%以上

三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠，并聽取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，他還與三星電子半導(dǎo)體部...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子euv 4816 0

今年臺(tái)半導(dǎo)體股表現(xiàn)亮眼，家登狂漲5.5倍奪冠

2019年31日臺(tái)股封關(guān)，半導(dǎo)體業(yè)股價(jià)年度漲幅冠軍由設(shè)備商家登精密拿下，1年來(lái)股價(jià)大漲448.74%，而射頻IC廠立積、LED驅(qū)動(dòng)IC廠凱鈺、ASIC設(shè)...

2019-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電euv 3296 0

ASML下一代EUV光刻機(jī)堪稱史上最貴半導(dǎo)體設(shè)備 一臺(tái)就是12億元人民幣

截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺(tái)積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的...

2019-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUVASML 1.7萬(wàn) 0