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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號從時間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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滑動離散周期變換算法在脈搏血氧測定中的應(yīng)用

生理來源的信號可能受到噪聲和運(yùn)動偽影的干擾，這些干擾的通帶可能與信號本身相重疊。生物信號具有準(zhǔn)平穩(wěn)性，其周期和幅度會隨時間而變化。對于此類信號，無法通過...

2025-06-27 標(biāo)簽：傳感器 ADI 算法 1208 0

淺談DFT可測性設(shè)計的工作原理

在芯片設(shè)計的世界里，有一種被稱為"火眼金睛"的技術(shù)，它就是DFT（Design for Testability，可測性設(shè)計）。今天，...

2025-03-01 標(biāo)簽：芯片設(shè)計 DFT 904 0

超強(qiáng)負(fù)極！全電池能量密度高達(dá)1760.1 Wh/L

鍺（Ge）負(fù)極因其較高的理論容量（8646 mAh cm-3）而在鋰離子電池中受到廣泛關(guān)注。

2024-05-28 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT XPS 1.2萬 0

揭示固態(tài)電解質(zhì)中鋰鹽解離的重要機(jī)制！

清華大學(xué)深圳國際研究生院康飛宇（本刊主編）、賀艷兵（本刊執(zhí)行主編）、柳明（本刊青年編委）、侯廷政（本刊青年編委）團(tuán)隊闡明了 BaTiO3鐵電填料誘導(dǎo) L...

2024-05-22 標(biāo)簽：DFT PFM 固態(tài)電解質(zhì) 2847 0

DFT之MBIST存儲器內(nèi)建自測試原因

MBIST是Memory Build-In-Self Test的簡稱，意為存儲器內(nèi)建自測試。

2024-05-19 標(biāo)簽：存儲器 JTAG DFT 2308 0

將廢正極材料升級為高穩(wěn)定性鋰硫電池的雙功能催化劑！

鋰硫（Li-S）電池是由一系列逐步轉(zhuǎn)換氧化還原反應(yīng)充放電的，由于其低成本、高比容量和環(huán)境可持續(xù)性，在其他電化學(xué)器件中脫穎而出，然而，鋰多硫化物（LiPS...

2024-05-11 標(biāo)簽：正極材料 DFT 鋰硫電池 1838 0

GPU：量化理論計算的新引擎

在過去的幾十年里，量化理論計算一直是化學(xué)研究的關(guān)鍵工具。密度泛函理論（DFT）、分子力學(xué)（MM）、耦合簇（CC）等方法在預(yù)測分子結(jié)構(gòu)、能量、光譜性質(zhì)等方...

2024-04-16 標(biāo)簽：處理器 gpu DFT 780 0

分享一種大型SOC設(shè)計中功能ECO加速的解決方案

大型SOC項(xiàng)目的綜合非常耗時間，常?；ㄙM(fèi)好幾天。當(dāng)需要做功能ECO時，代碼的改動限定在某些子模塊里，設(shè)計人員并不想重跑一次完整的綜合，這種方法縮短了一輪...

2024-03-11 標(biāo)簽：SoC設(shè)計 DFT 768 0

火焰輔助超快速合成功能化碳納米片用于高性能鈉儲存

硬碳(HC)獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)使其成為鈉離子電池(SIB)極具前景的負(fù)極候選材料。傳統(tǒng)的HC材料面臨著速率和循環(huán)能力差的挑戰(zhàn)。

2024-03-06 標(biāo)簽：DFT TEM 傅里葉變換 929 0

通過構(gòu)建界面梯度異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高倍率和長壽命鋅金屬陽極

鋅離子水電池(AZIBs)因其豐富的鋅儲量、內(nèi)在安全性、高理論能量密度(820 mAh g-1)和低還原電位(與標(biāo)準(zhǔn)氫電極相比為-0.76 V)而備受關(guān)注。

2024-02-28 標(biāo)簽：離子電池鋅電池 DFT 1841 0

上海交大梁正：探究表面雜原子對硅烷解離影響

多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。

2024-01-23 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅半導(dǎo)體 1166 0

材料科學(xué)邁向AI4Materials的關(guān)鍵因素（上）

材料的結(jié)構(gòu)直接決定了其物理和化學(xué)性質(zhì)，這種關(guān)系也常稱之為“構(gòu)效關(guān)系”。如何快速有效地建立起這種“構(gòu)效關(guān)系”是探索和設(shè)計新型功能材料的關(guān)鍵。

2023-12-29 標(biāo)簽：人工智能石墨烯 DFT 1898 0

?低功耗SoC的PR設(shè)計淺析

全芯片UPF低功耗設(shè)計(含DFT設(shè)計)

2023-12-29 標(biāo)簽：SoC設(shè)計 DFT UPF 971 0

DFT的簡單介紹（下）

這種測試方法是建立在一個前提上的，就是我們可以任意改變輸入信號的邏輯值。

2023-12-06 標(biāo)簽：寄存器 DFT 時鐘芯片 840 0

DFT的簡單介紹（上）

DFT全稱為Design for Test，可測性設(shè)計。就是說我們設(shè)計好一個芯片后，在仿真時可能99%的用例都通過了，怎么保證流片出來的實(shí)際芯片也能正常工作呢？

2023-12-06 標(biāo)簽：DFT ATE GDS 2094 0

調(diào)節(jié)用于高性能水系鋅離子電池的多金屬離子溶劑化結(jié)構(gòu)

由于在鍍鋅/剝鋅過程中不可避免地在鋅負(fù)極表面形成枝晶，大多數(shù)水系鋅離子電池(AZIBs)會出現(xiàn)嚴(yán)重的容量衰退和電池失效。

2023-12-04 標(biāo)簽：鋅電池電解液 DFT 2940 0

在距離多普勒處理中使用Keystone變換進(jìn)行距離徙動校正

常規(guī)的距離多普勒處理采集相干處理時間(CPI)內(nèi)快時間/慢時間數(shù)據(jù)，并對所有距離單元的做慢時間維的離散傅里葉變換(DFT)，形成距離多普勒矩陣。

2023-12-04 標(biāo)簽：DFT 離散傅里葉變換 3419 0

離子-偶極作用誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)PVDF電解質(zhì)游離殘留溶劑封裝

由于高離子導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度，聚（氟乙烯）（PVDF）電解質(zhì)越來越受到固態(tài)鋰電池的關(guān)注，但高活性殘留溶劑嚴(yán)重困擾著循環(huán)穩(wěn)定性。

2023-11-21 標(biāo)簽：電解質(zhì)ESP DFT 4092 0

X態(tài)是什么？X態(tài)有什么危害？如何避免X態(tài)的產(chǎn)生？X態(tài)怎么處理？

Verilog 和 SV 定義了四種邏輯狀態(tài)：0，1，Z 及 X

2023-11-15 標(biāo)簽：仿真器 vhdl 鎖存器 5332 0

關(guān)于SpyGlass安裝步驟

SpyGalss是目前業(yè)界唯一可靠的RTL Sign off解決方案，可以幫助客戶在設(shè)計早期發(fā)現(xiàn)潛在問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量，極大的減少設(shè)計風(fēng)險，降低設(shè)計成本。

2023-11-09 標(biāo)簽：DFT 1696 0

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云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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