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標(biāo)簽 > ddr5
DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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KLEVV科賦內(nèi)存實(shí)力豐富人們的數(shù)字生活體驗!
2022可謂不平凡的一年,這一年各個行業(yè)或多或少都遭受了疫情的沖擊,但其中有個行業(yè)卻迎來爆發(fā)式增長,那就是內(nèi)存行業(yè)。因為疫情的侵襲加快了互聯(lián)網(wǎng)信息技術(shù)的...
三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用
該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計HKMG將成為下一代...
聯(lián)想ThinkPad T14 Gen 5將搭載銳龍8040/8050 APU,預(yù)計2024年推出
此外,聯(lián)想ThinkPad T14 Gen 5還具備高達(dá)64GB DDR5內(nèi)存、高速Wi-Fi、14英寸400尼特高亮顯示屏以及85%的超高屏占比等卓越...
內(nèi)容來源:是德科技 ? ? 一、前 言 DDR SDRAM,是一一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的...
美光DDR5與第四代英特爾?至強(qiáng)?鉑金處理器強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,重新定義產(chǎn)品性能
當(dāng)今世界,人們需要隨時訪問數(shù)據(jù)及服務(wù)。隨著用戶對數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的需求不斷增長,數(shù)據(jù)中心客戶始終在追求更高的性能及可靠性。
三星成功開發(fā)新型硅通孔(TSV)8 層技術(shù)的DDR5芯片
隨著現(xiàn)代計算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成...
AMD銳龍9 7950X臺式機(jī)處理器助力從容應(yīng)對各類工作負(fù)載
視頻編輯、3D渲染卡頓,導(dǎo)出巨大文件慢,靈感枯竭創(chuàng)作遇瓶頸……怎么辦? 專業(yè)生產(chǎn)力用戶必備工具——AMD銳龍9 7950X臺式機(jī)處理器,助力從容應(yīng)對各類...
內(nèi)存規(guī)格游戲通常歸結(jié)為在保持低功耗的同時獲得更高的性能。低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 (LPDDR) DRAM 尤其如此,但人工智能 (AI)、邊緣計算和 5G ...
最強(qiáng)AI芯片發(fā)布,Cerebras推出性能翻倍的WSE-3 AI芯片
近日,芯片行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Cerebras Systems宣布推出其革命性的產(chǎn)品——Wafer Scale Engine 3,該產(chǎn)品成功將現(xiàn)有最快AI芯片...
Arm發(fā)布Neoverse V3和N3 CPU內(nèi)核
在計算市場持續(xù)迎來變革的背景下,Arm公司發(fā)布了其最新一代Neoverse CPU內(nèi)核設(shè)計,分別為Neoverse V3(代號Poseidon)和N3(...
AWS推出由AWS設(shè)計的AWS Trainium2芯片系列
一年多來,我們一直期待Amazon Web Services在今年的re:Invent大會上為其本土服務(wù)器推出 Graviton4 處理器。
2023-11-29 標(biāo)簽:控制器smt機(jī)器學(xué)習(xí) 1715 0
基于英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器的深信服SASE提供網(wǎng)絡(luò)與安全融合的服務(wù)能力
在數(shù)字化轉(zhuǎn)型的驅(qū)動下,企業(yè)應(yīng)用與服務(wù)正在突破物理邊界,這在催生了企業(yè)辦公與商業(yè)模式創(chuàng)新的同時,原有以數(shù)據(jù)中心為核心的網(wǎng)絡(luò)安全邊界向以泛云、分支、移動用戶...
2024-04-03 標(biāo)簽:處理器英特爾物聯(lián)網(wǎng) 1682 0
臺電追風(fēng)A60 DDR5內(nèi)存條全面上市
追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格,相較DDR4,性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸...
高性能、高可靠,佰維推出高品質(zhì)DDR5內(nèi)存模組
佰維DDR5 UDIMM和SODIMM內(nèi)存模組數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)4800Mbps,突發(fā)長度和預(yù)取長度擴(kuò)展到16位,使得存儲器單一讀寫指令可存取的數(shù)據(jù)量是DD...
3D pSLC NAND彌合了5G基站設(shè)計人員與DDR5的差距
與4G相比,毫無疑問,5G的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其前身。它提供更高的峰值數(shù)據(jù)速度(高達(dá) 20Gbps)、超低延遲、更高的可靠性、巨大的網(wǎng)絡(luò)容量、更高的可用性和更...
德明利DDR5內(nèi)存助力AI PC時代存儲性能與市場增長
2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力(CPU+GPU+NPU)需求高漲及新處理器平臺推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要...
隨著制程工藝的進(jìn)步,DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題,解決辦法就是上EUV光刻機(jī),但是設(shè)備實(shí)在太貴,現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴,...
2023-07-31 標(biāo)簽:DRAM芯片EUV光刻機(jī)DDR5 1545 0
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