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標(biāo)簽 > ddr5
DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強,功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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國產(chǎn)半導(dǎo)體大廠宣布,Trench MOS產(chǎn)品線單價上調(diào)5%-10%
據(jù)國內(nèi)Nor代工巨頭消息,其產(chǎn)線已經(jīng)轉(zhuǎn)生產(chǎn)CIS,Nor產(chǎn)能已緊張,這會不會成為Norflash漲價的前戲?
DDR5加速度 半導(dǎo)體封裝迎來細分領(lǐng)域新機遇
近日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長電科技宣布,高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢為國內(nèi)外客戶提供...
5nm工藝制程:先進的工藝制程,為處理器帶來非凡的單核和多核性能,大幅提高工作效率。
已經(jīng)有手機廠商測試32GB內(nèi)存的機型?
如此大規(guī)格的內(nèi)存,幾乎可以徹底告別“殺后臺”的情況出現(xiàn)了,日常使用也會更加流暢順滑。 需要注意的是,這么32GB的內(nèi)存對于絕大多數(shù)用戶來說都是過剩的,...
Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營銷副總裁John Eble在接受記者采訪時表示,“目前DDR4仍然保持著強勁的勢頭,DDR5現(xiàn)在是處在早期的爬坡階段?!?/p>
DDR5時代即將來臨,泰克推出TekExpress DDR5發(fā)射機解決方案
快速存取數(shù)量龐大的存儲數(shù)據(jù),意味著復(fù)雜的設(shè)計正在挑戰(zhàn)信號完整性極限,要求性能更高的測量技術(shù)來完成一致性測試、調(diào)試和驗證。
美光 DDR5 為第四代英特爾? 至強? 可擴展處理器家族帶來更強可靠性
提升當(dāng)今數(shù)據(jù)中心工作負載性能,助力未來基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)增長 來源:美光科技 2023 年 1 月 16 日,中國上海 –Micron Technology,...
瀾起科技在最新互動平臺上分享了對當(dāng)前內(nèi)存接口芯片市場的觀察。自今年年初起,內(nèi)存接口芯片需求呈現(xiàn)恢復(fù)性增長態(tài)勢,這一積極信號預(yù)示著行業(yè)發(fā)展的良好前景。
SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認(rèn)反對西數(shù)與鎧俠合并
SK海力士稱,由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性...
2023-10-31 標(biāo)簽:DRAM存儲器半導(dǎo)體存儲器 911 0
MICRON的低功耗DRAM(LPDRAM)產(chǎn)品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇,能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機和其它智能產(chǎn)品中收獲最...
Mini LED終端產(chǎn)品進入規(guī)?;慨a(chǎn)
計算機大廠宏碁接連發(fā)表兩款電競筆電,分別是規(guī)格頂尖的Predator Helios 18,配備與桌電同級的處理器、顯示卡,以及瞄準(zhǔn)入門市場的Nitro ...
威剛發(fā)布超頻DDR5游戲內(nèi)存,采用PCB熱涂層技術(shù)
據(jù)介紹,這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術(shù)應(yīng)用于超頻內(nèi)存中。該技術(shù)能夠?qū)?nèi)存的運行速率提升至每秒8000兆次以上,同時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
賀青認(rèn)為,國產(chǎn)EDA工具需要試錯的機會,但國產(chǎn)工具在商用化時也必須要足夠成熟,如果交付客戶后多次發(fā)生嚴(yán)重問題,客戶配合的意愿會降低。
在追求極致性能與效率的科技浪潮中,Rambus再次引領(lǐng)行業(yè)前行,正式宣布推出面向下一代高性能臺式電腦與筆記本電腦的DDR5客戶端時鐘驅(qū)動器(CKD)。這...
市場研究機構(gòu)TrendForce日前報告也指出,近期NAND Flash現(xiàn)貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動,部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。
2023-09-07 標(biāo)簽:存儲器存儲芯片Nand flash 894 0
DRAM市場風(fēng)云再起 庫存調(diào)整價格走勢成焦點
第二季度DRAM合約價格的環(huán)比漲幅將受到嚴(yán)格限制,預(yù)計漲幅在3%至8%之間。
機構(gòu):2024年底前HBM將占先進制程比例為35%
據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce估算,市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片
SMART Modular推出4TB內(nèi)存卡,強化安全功能
此系列CXL內(nèi)存產(chǎn)品分別為整體模組封裝和開放式設(shè)計,用戶可根據(jù)需求選擇預(yù)裝內(nèi)存或裸卡,自行搭配符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DDR5 RDIMM內(nèi)存條以實現(xiàn)容量定制。
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