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標(biāo)簽 > ddr5
DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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RMBS擴(kuò)大面向數(shù)據(jù)中心和PC設(shè)備的DDR5內(nèi)存接口芯片組合
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布,擴(kuò)大其DDR5內(nèi)存接口芯...
2022-08-18 標(biāo)簽:接口內(nèi)存數(shù)據(jù)中心 706 0
從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng),同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求,DDR5之...
內(nèi)存規(guī)格游戲通常歸結(jié)為在保持低功耗的同時(shí)獲得更高的性能。低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 (LPDDR) DRAM 尤其如此,但人工智能 (AI)、邊緣計(jì)算和 5G ...
DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性...
去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存,但去年各大平臺(tái)DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價(jià)格,加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問(wèn)題,這第一批DD...
2022 年 7 月 7 日,上海— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代...
芯動(dòng)科技量產(chǎn)LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案
日前,芯動(dòng)科技率先突破10Gbps,以先進(jìn)FinFet工藝量產(chǎn)了全球最快的LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案,速度領(lǐng)先市場(chǎng)最高端LPDDR...
現(xiàn)代工作負(fù)載正在重新定義下一代數(shù)據(jù)中心
目前數(shù)據(jù)中心容納了全球約三分之一的數(shù)據(jù)。2020年的數(shù)據(jù)量大約是20ZB,預(yù)計(jì)到2025年都將保持15-20%的年增長(zhǎng)率。數(shù)據(jù)中心面臨的挑戰(zhàn)不僅包括需要...
2022-06-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心美光工作負(fù)載 1028 0
RA2E2單片機(jī)組適用于DDR5 DIMM LED的控制應(yīng)用
RA2E2 組在尺寸僅為 4.00 x 4.00mm 的 24 引腳 HW 四方扁平無(wú)引腳 (HWQFN) 封裝中提供 6 通道的通用 PWM 定時(shí)...
DRAM面臨庫(kù)存積壓,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD
長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天推出了新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000,該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0(Xtacking2.0)架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片。
2022-04-11 標(biāo)簽:DRAM長(zhǎng)江存儲(chǔ)DDR5 7434 0
與產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者攜手共進(jìn),三家繼續(xù)聯(lián)手舉辦高速接口測(cè)試論壇2021年會(huì)
中國(guó)北京2022年1月24日 – 由安立, 泰克科技, GRL聯(lián)合舉辦的2021高速接口測(cè)試論壇年會(huì),于2022年1月6號(hào)在上海浦東喜來(lái)登大酒店順利召開(kāi)。
Rambus DDR5:賦能中國(guó)下一代數(shù)據(jù)中心
在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)等大趨勢(shì)的共同推動(dòng)下,中國(guó)的數(shù)據(jù)流量正在呈指數(shù)增長(zhǎng)。據(jù)IDC預(yù)測(cè),到2025年,中國(guó)將擁有約占全球三分之...
2022-01-14 標(biāo)簽:Rambus數(shù)據(jù)中心DDR5 958 0
2021年已然結(jié)束,2022年已經(jīng)拉開(kāi)帷幕,在2022年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的什么技術(shù)會(huì)影響這一年的商業(yè)發(fā)展,又會(huì)有哪些技術(shù)會(huì)改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)格局呢?電子發(fā)燒...
你準(zhǔn)備好加速你的DDR5設(shè)計(jì)了嗎?
設(shè)計(jì)驗(yàn)證工程師需要測(cè)試他們的LPDDR/DDR發(fā)射器(Tx)和接收器(Rx)設(shè)計(jì),以確保符合行業(yè)規(guī)范和與其他組件的互操作性。
2021-11-24 標(biāo)簽:信號(hào)完整性增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)DDR5 1311 0
Rambus發(fā)布業(yè)界首款5600 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)
Rambus發(fā)布業(yè)界首款5600 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD),進(jìn)一步提升服務(wù)器存儲(chǔ)性能。
2021-11-17 標(biāo)簽:Rambus時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器DDR5 2810 0
瑞薩電子推出工業(yè)溫度級(jí)DDR5和DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器
智能邊緣和開(kāi)放式無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)(O-RAN)等新興領(lǐng)域?qū)鹘y(tǒng)計(jì)算與通信架構(gòu)相融合,這需要能夠承受網(wǎng)絡(luò)邊緣惡劣環(huán)境的服務(wù)器元器件。
2021-11-05 標(biāo)簽:DDR4瑞薩電子時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 3066 0
Longsys DDR5與Intel最新處理器同日亮相,雙形態(tài)助力PC終端升級(jí)
江波龍電子(以下簡(jiǎn)稱“Longsys”)緊跟存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展前沿,為了滿足行業(yè)客戶以及廣大用戶對(duì)產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-D...
金泰克速虎T4 DDR5內(nèi)存正式發(fā)售 大容量 高頻率 低功耗
2020年,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開(kāi)始。進(jìn)入2021年,多家存...
DDR5進(jìn)入放量元年,內(nèi)存性能提升50%以上!
近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣...
2021-10-25 標(biāo)簽:DDR5 9863 0
中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS2021圓滿落幕!產(chǎn)業(yè)鏈大咖精彩演講內(nèi)容揭曉
據(jù)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)1500億美元,增長(zhǎng)26%,其中DRAM為910億美元,NAND Fla...
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