GD32的FLASH讀、擦除、寫(xiě)操作

一，GD32的flash特征1、在flash的前256K字節(jié)空間內(nèi)，CPU執(zhí)行指令零等待；在此范圍外，CPU讀取指令存在較長(zhǎng)延時(shí)；2、對(duì)于flash大于...

2024-02-19 標(biāo)簽：FlaShcpuGD32 6025 0

通用CPU性能基準(zhǔn)測(cè)試的研究現(xiàn)狀

經(jīng)過(guò)持續(xù)迭代升級(jí)，TPC已發(fā)展成為能夠滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景性能測(cè)試需求的基準(zhǔn)測(cè)試簇，根據(jù)測(cè)試場(chǎng)景和測(cè)試事務(wù)的不同，可將 TPC性能基準(zhǔn)測(cè)試分為三類。

2024-02-20 標(biāo)簽：armcpuX86 1252 0

存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)如何解釋？

存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來(lái)，圖片中共分為六級(jí)，越向上的層次，存儲(chǔ)器速度越快，容量更小，造價(jià)越高。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器cpu 1484 0

淺談存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的...

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM寄存器存儲(chǔ)器 1401 0

ram內(nèi)部存儲(chǔ)器電路組成

ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。

2024-02-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器cpuRAM 2608 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管怎么代替繼電器 晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別

繼電器通過(guò)通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)控制機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)柵極施加正負(fù)偏壓來(lái)控制...

2024-02-18 標(biāo)簽：繼電器cpu場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6543 0

HarmonyOS CPU與I/O密集型任務(wù)開(kāi)發(fā)指導(dǎo)

一、CPU密集型任務(wù)開(kāi)發(fā)指導(dǎo) CPU密集型任務(wù)是指需要占用系統(tǒng)資源處理大量計(jì)算能力的任務(wù)，需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，這段時(shí)間會(huì)阻塞線程其它事件的處理，不適宜放在主...

2024-02-18 標(biāo)簽：cpu圖像處理線程 1237 0

組合邏輯電路的定義及電路分析方法

對(duì)于一個(gè)邏輯電路，其輸出狀態(tài)在任何時(shí)刻只取決于同一時(shí)刻的輸入狀態(tài)，而與電路原來(lái)的狀態(tài)無(wú)關(guān)，這種電路被定義為組合邏輯電路。

2024-02-04 標(biāo)簽：邏輯電路編碼器cpu 3300 0

如何學(xué)好變頻器電路控制原理

首先找?guī)追N具有代表性的變頻器整體電路，根據(jù)它的控制功能把變頻器整體電路拆分成一個(gè)個(gè)電路塊。

2024-02-03 標(biāo)簽：微控制器濾波電容cpu 1082 0

ESP32與Arduino板之間的區(qū)別差異

Arduino板包括一個(gè)ATmega328P8位微控制器，具有0至13個(gè)數(shù)字引腳。這些引腳用于數(shù)字輸入和數(shù)字輸出，其中數(shù)字輸入用于從設(shè)備讀取數(shù)據(jù)，數(shù)字輸...

2024-02-02 標(biāo)簽：微控制器cpuArduino 1.0萬(wàn) 0