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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來,SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 標(biāo)簽:CMOSsram靜態(tài)存儲器 2261 0
左右后視鏡處或下方車身處 側(cè)視攝像頭主要是用于盲點(diǎn)監(jiān)測BSD,根據(jù)安裝位置可以實(shí)現(xiàn)前視或后視作用。目前大部分主機(jī)廠會選擇安裝在汽車兩側(cè)的后視鏡下方的位置...
芯片設(shè)計都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
事實(shí)上,用于移動設(shè)備的熱感相機(jī)附件正變得越來越流行,而且非常實(shí)惠,一些加固型手機(jī)甚至集成了這些附件。熱成像器開始滲透智能家居有了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,用不了多久,...
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會增加硅...
全CMOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源電路原理分析
本次仿真的是2018年的論文[1],無三極管和電阻的,利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管,極大減小了面積和功耗,能在低壓工作,溫度特性好...
本次仿真的是2006年的論文[1],結(jié)構(gòu)簡單,無三極管,利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管,極大減小了面積和功耗,能在低壓工作,但是溫度...
銀 (Ag): 導(dǎo)電漿料:用于某些先進(jìn)的封裝技術(shù)。 電鍍:電鍍錫銀合金 鎳 (Ni): 硅化物形成:與硅反應(yīng)形成鎳硅化物,用于某些接觸應(yīng)用。 磁性金屬:...
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