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標簽 > MOS管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
本文解析了MOS管作為開關的正確連接方法，包括其基本原理和連接技巧。通過比較NMOS和PMOS的接法差異，工程師發(fā)現(xiàn)負載位置的關鍵性選擇對導通可靠性至關...
【案例2.36】芯片啟動異常的故障分析在某產(chǎn)品的調試中發(fā)現(xiàn)，板上核心處理芯片在每次啟動后的表現(xiàn)不同，偶爾會出現(xiàn)無法啟動的故障。經(jīng)過幾百次反復上下電測試發(fā)...
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設計中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護驅動芯片和電磁干擾等方面的關鍵作用。此外，文章還強調了參數(shù)選擇的重要性，提出...
2025-06-27 標簽：串聯(lián)電阻MOS管寄生電容 88 0
本文主要介紹了MOS管的靜電防護問題。通過從源頭隔絕靜電入侵、加裝電壓保險絲和優(yōu)化PCB布局等方式，可以有效防止靜電擊穿。防護電路設計的關鍵策略包括：從...
在電力電子系統(tǒng)中，MOS管并聯(lián)能有效提升電流承載能力，但需要精準匹配參數(shù)，如導通電阻與閾值電壓。應選擇熱特性相近的器件進行組配，并采用門極驅動芯片配合R...
多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設計中，驅動電阻配置對系統(tǒng)運行效率和可靠性至關重要。驅動電阻的大小決定了開關速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關系。采用單一...
本文主要探討了MOS管驅動電路的幾種常見方案，包括電源IC直接驅動、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅動等。電源IC直接驅動的簡約哲學適合小容量MOS管，但需要...
推挽電路是解決驅動多個MOS管挑戰(zhàn)的關鍵技術。通過互補驅動，推挽電路可快速充電和放電，提高開關速度。在5V邏輯信號驅動15V MOS管的場景中，推挽電路...
破解MOS管高頻振蕩困局：從米勒平臺抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場效應管)的本質在柵極(G)電壓對漏極(D)與源極(S)間導電溝道的精準控制，作為開關器件成為電子應用的核心。原理是當柵源電壓(Vgs)超過閾...
不管是車載高頻逆變器還是太陽能離網(wǎng)工頻逆變器存在有推挽拓撲、全橋拓撲電路，而在電路開發(fā)的過程中工程師是需要結合不同的電路特性來選型的。因此對于推挽拓撲、...
在UPS不間斷電源中，高效的電能轉換依賴于核心功率器件的精準選型。MOS管與IGBT常應用于系統(tǒng)的不同電壓段與功能模塊，而MOS管憑借其極低的導通電阻和...
飛虹MOS管FHP140N08V在24V車載高頻逆變器的應用
工程師在研發(fā)24V車載高頻逆變器的DC-DC推挽升壓電路中，MOS管就是控制能量流動的“高速開關閥門”。在電路中MOS管必須承受高壓沖擊（≈2倍輸入+尖...
保障消費電子設備穩(wěn)定性，MOS管中的體二極管如何做？
從體二極管的特性到其在各種電路中的應用，我們能深刻體會到它對電子設備電流穩(wěn)定的重要性。合科泰MOS管正向導通壓降、反向恢復時間等等參數(shù)上很有優(yōu)勢，具有尺...
產(chǎn)品推薦 | MOS管在PD快充產(chǎn)品上的應用
PD快充的定義及應用PD快充，全稱又叫USB-PD，是由USB-IF組織制定的一種快速充電規(guī)范，是目前主流的快充協(xié)議之一。USB-PD快充協(xié)議是以Typ...
耗盡型MOS的特點讓其應用極少，而PMOS的高成本和大電阻也讓人望而卻步。而綜合開關特性和成本型號優(yōu)勢的增強型NMOS成為最優(yōu)選擇。合科泰作為電子元器件...
前言 MOS管在電源管理和信號處理中起到廣泛的作用，而在智能手機中這兩者也是必不可少的。在智能手機的電源管理系統(tǒng)、電池保護、手機充電、信號處理等環(huán)節(jié)，M...
隨著便攜電子設備、智能可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)終端等設備的普及，對電源的需要也越來越普遍，而影響電源效率的低功耗DC轉換器成為了重點。合科泰生產(chǎn)的MOS管為高...
MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)在開關過程中易產(chǎn)生電壓尖峰，可能引發(fā)器件損壞或電磁干擾問題。為有效抑制電壓尖峰，需從電路設計、器件選型、布局布線...
2025-06-13 標簽：MOS管 178 0
在電力電子系統(tǒng)中，可控硅（晶閘管）與MOS管（場效應管）均屬于關鍵開關器件。針對工程師常提出的"是否可用可控硅直接替換MOS管"這一...
飛虹MOS管FHP4310V在UPS系統(tǒng)中的應用
在UPS（不間斷電源）系統(tǒng)的核心功率電路設計中，MOS管的性能、效率與可靠性直接決定了整機的轉換效率、輸出質量、熱管理和長期運行穩(wěn)定性。因此，對于UPS...
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