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標簽 > 驅(qū)動電路
驅(qū)動電路（Drive Circuit），，其基本任務(wù)就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關(guān)斷控制信號，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。
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氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備，它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細介紹氮化鎵充電器和普通...
根據(jù)驅(qū)動器件的類型，PLC的輸出可以分為繼電器輸出和晶體管輸出；對于繼電器輸出，從繼電器線圈得電／失電，到繼電器的觸點真正可靠吸合/斷開，至有有幾毫秒甚...
H橋（H-Bridge) ，因內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)與H相似而得名，包含四個獨立控制的開關(guān)元器件，常用于直流電機的調(diào)速、正反轉(zhuǎn)等。
用于智能藥物遞送的可穿戴聲學(xué)響應(yīng)微針陣列
在個性化醫(yī)療的需求中，便捷安全的微針給藥技術(shù)在近些年快速發(fā)展，其能夠極大地提升醫(yī)療體驗，降低成本，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于實踐中。
由于工藝和成本的問題，一般由N溝道增強型MOS晶體管作低邊驅(qū)動，其具體結(jié)構(gòu)如下圖所示。
一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動電路CS5755SDQ
CS5755SDQ是一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動電路，主要應(yīng)用于較低功率電機驅(qū)動，如風(fēng)扇電機、水泵等。
基于SWM190RBT6-50芯片的FOC風(fēng)機方案
控制器采用的是一顆國產(chǎn)M0芯片-SWM190RBT6-50，封裝是LQFP64。電路包含AC轉(zhuǎn)DC電路，直流電機是高壓310V，然后通過SC1117DG...
如果驅(qū)動電路每次點亮屏上所有的LED燈組成的像素點，那就叫靜態(tài)驅(qū)動。如果每次點亮的行或列是不連續(xù)的，比如有1，2，3，4，5，6，7，8，9，10......
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機驅(qū)動電路，主要應(yīng)用于較低功率電機驅(qū)動，如風(fēng)扇電機。其內(nèi)置了 6 個快恢復(fù) MOSFET 和 ...
輸出參數(shù)：輸出功率，輸出電壓，輸出電流，紋波，穩(wěn)壓(穩(wěn)流)精度，調(diào)整率，動態(tài)特性(穩(wěn)定時間：settling time)、電源的啟動時間和保持時間。
2023-11-03 標簽：pcbMOSFET開關(guān)電源 1407 0
電阻陣作為一種動態(tài)紅外景象產(chǎn)生器件，在紅外半實物仿真領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。電阻陣可實現(xiàn)的規(guī)模與性能與紅外微輻射像素列陣的設(shè)計有著密切的關(guān)系。 據(jù)麥姆斯咨詢...
根據(jù)項目需求可以用I/O外部上拉，用來驅(qū)動數(shù)碼管；也可以74HC138（38譯碼器）+74HC245（8路信號收發(fā)器）驅(qū)動數(shù)碼管。本文會以后者為數(shù)碼管驅(qū)...
數(shù)碼管的靜態(tài)顯示與動態(tài)顯示介紹
從共陰與共陽的數(shù)碼管上看，對數(shù)碼管的控制與控制LED一樣，只需要控制數(shù)碼管的兩端高低電平（位選引腳與段選引腳的電平），數(shù)碼管便可以被點亮。
點陣屏：LED點陣屏由多個LED發(fā)光二極管組成，通過控制LED亮滅來顯示文字、圖片、動畫、視頻等，被廣泛應(yīng)用于公共場合做信息展示，如廣告屏、公告牌等。
MOS管特性及其幾種常用驅(qū)動電路詳解，電子工程師手把手教你
MOS管是一種電壓控制型半導(dǎo)體元件，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。工作原理基于半導(dǎo)體材料的能帶理論，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制溝道的導(dǎo)通和截止。...
2023-10-26 標簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 7355 0
在做消費類電子產(chǎn)品的開發(fā)時，有許多產(chǎn)品是需要使用到電機這個驅(qū)動裝置，許多產(chǎn)品是由鋰電池供電或者是干電池供電。電機工作包括正轉(zhuǎn)和正反轉(zhuǎn)。本文介紹幾種相關(guān)電...
驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔(dān)大得多的動態(tài)電流。
IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動電路設(shè)計
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動的P型BJT。
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