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標(biāo)簽 > 驅(qū)動電路
驅(qū)動電路(Drive Circuit),,其基本任務(wù)就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號,對全控型器件則既要提供開通控制信號,又要提供關(guān)斷控制信號,以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。
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軟啟動器是一種用于電動機啟動和運行控制的設(shè)備,它通過控制電動機的啟動電流和電壓,實現(xiàn)電動機的平滑啟動和軟停止,減少對電網(wǎng)和機械設(shè)備的沖擊。然而,在使用過...
led燈關(guān)掉開關(guān)后還微亮怎么解決 LED燈常見的失效原因
如果你使用了調(diào)光器來控制LED燈的亮度,那么可能是調(diào)光器本身導(dǎo)致了微弱的電流。嘗試將調(diào)光器調(diào)至最亮的位置,看看LED燈是否還保持微亮狀態(tài)。如果是,那么可...
優(yōu)化驅(qū)動特性就是以理想的基極驅(qū)動電流波形去控制器件的開關(guān)過程,保證較高的開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗。優(yōu)化的基極驅(qū)動電流波形與GTO門極驅(qū)動電流波形相似。
本套教程為BUCK電源的高級設(shè)計教程,用分立元件搭建,現(xiàn)場一步步設(shè)計,調(diào)試。全面剖析BUCK電源芯片的設(shè)計思路,是工程師們想搞透BUCK 電源芯片方案難...
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
采用自舉升壓電路,設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路
結(jié)論 本文采用自舉升壓電路,設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計,可在1.5V...
應(yīng)急燈主要用于正常照明電源切斷或電網(wǎng)失電后,提供應(yīng)急照明的場所,常用于廠礦、機關(guān)、學(xué)校、建筑及隧道內(nèi)。國內(nèi)使用的應(yīng)急照明系統(tǒng)以自帶電源獨立控制型為主,正...
深入理解MOSFET規(guī)格書及應(yīng)用設(shè)計
MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時候,為20度時候的2倍。
繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng),又稱輸入回路,具有被控制系統(tǒng),又稱輸出回路。
LED電源次級恒流經(jīng)典電路攻略TOP6 —電路圖天天讀(121)
本文就對LED照明電源當(dāng)中次級恒流的一些常見方法進行了總結(jié),希望能夠幫助新手進步??梢院敛豢鋸埖恼f,LED驅(qū)動電源將直接決定LED燈的可靠性與壽命。
IGBT驅(qū)動電路的應(yīng)用設(shè)計詳解
隔離驅(qū)動產(chǎn)品大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅(qū)動信號和被驅(qū)動的絕緣柵,采用厚膜或PCB工藝支撐,部分阻容元件由引腳接入。這種產(chǎn)品主要用于IGBT的驅(qū)動...
2017-06-05 標(biāo)簽:驅(qū)動電路 1.2萬 0
關(guān)于MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOS...
2018-05-07 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源ic 1.2萬 0
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
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如何設(shè)計一款LED低功耗強光手電驅(qū)動電路?
平時用其他方法設(shè)計過這樣的電路,今天用WEBENCH軟件提供的設(shè)計方案,利用電源參數(shù):2節(jié)26650鋰電池串聯(lián)供電,6V--8.4V供電電壓,使用GRE...
基于IR2130驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護電路的設(shè)計
功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點,但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計合理的保護...
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