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標簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別?ufs4.0和ufs3.1實際使用區(qū)別
ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別?ufs4.0和ufs3.1實際使用區(qū)別? UFS是一種高速、節(jié)能、可靠的非易失性存儲器,旨在提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度...
2024-01-17 標簽:數(shù)據(jù)傳輸UFS非易失性存儲器 3.8萬 0
非易失性存儲器是指當電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產(chǎn)品...
富士通分享三大存儲技術(shù) 各具獨特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲)用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
賽普拉斯推出全新Excelon?F-RAM?高速、高可靠性的非易失性存儲器系列
先進嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列,為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。...
寫flash芯片時為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前,先來了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。 Flash芯片是非易失...
到目前為止,新興的非易失性存儲器(eNVM),如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM) 和相變存儲器(PCM),由于可擴...
特斯拉電動汽車對于任何存儲應(yīng)用都是一個充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境,這不僅是因為汽車質(zhì)量對溫度和功能安全性的要求,而且因為每輛汽車的使用方式都不同。
東芝推出無霍爾傳感器正弦波驅(qū)動3相直流無刷電機控制預(yù)驅(qū)IC,助力降低振動與噪聲
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出一款3相直流無刷電機控制預(yù)驅(qū)IC---“TC78B011FTG”,該產(chǎn)品適用于服務(wù)器風扇和鼓風機...
如何充分利用單片機(MCU)的非易失性存儲器 單片機(MCU)的非易失性存儲器(NVM)是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位...
ReRAM技術(shù)將成嵌入式人工智能重要關(guān)鍵
Dialog半導(dǎo)體已將其導(dǎo)電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries,但生產(chǎn)計劃要等到2022年。 Globalf...
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時間長的存儲。...
SST推出通過認證的基于GLOBALFOUNDRIES BCDLite?工藝的 嵌入式SuperFlash?技術(shù)
SST全球市場營銷及業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Vipin Tiwari表示:“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術(shù)與先進130 nm BCDLite工藝節(jié)點的結(jié)合...
2016-07-13 標簽:嵌入式技術(shù)SST微芯科技
國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體登錄科創(chuàng)板今日申購
國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體登錄科創(chuàng)板今日申購 今日國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體正式登錄A股科創(chuàng)板,開啟申購。華虹半導(dǎo)體發(fā)行價格52.00元,發(fā)行市盈率34.7...
2023-07-25 標簽:晶圓ipo華虹半導(dǎo)體 1683 0
目前,人工智能計算既耗電又昂貴。邊緣設(shè)備上的大多數(shù)人工智能應(yīng)用程序都涉及將數(shù)據(jù)從設(shè)備移動到云端,人工智能在云端對其進行處理和分析。然后將結(jié)果移回設(shè)備。這...
2022-08-20 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)智能傳感器RRAM 1675 0
Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布汽車級55nm嵌入式閃存技術(shù)獲認證
2015年5月15日,全球領(lǐng)先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯...
2015-05-18 標簽:非易失性存儲器GLOBALFOUNDRIES 1643 0
武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)
XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達133MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),工作溫度范圍可達-40℃...
X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能
基于公司成熟的SONOS技術(shù),新增的Flash和EEPROM為汽車,醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性。
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