閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。

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閾值電壓技術(shù)

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...

2024-03-01 標(biāo)簽：led照明穩(wěn)壓器 PMOS 3270 0

MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。

2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFET 阻抗匹配場效應(yīng)晶體管 2090 1

模擬IC電路之比較器設(shè)計詳細過程

比較器是一種電子器件，用于比較兩個輸入信號的大小，并根據(jù)比較結(jié)果輸出一個邏輯信號。比較器通常由兩個輸入端、一個輸出端和一個閾值電壓組成。

2024-02-07 標(biāo)簽：模擬電路運算放大器比較器 7118 0

雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理自動雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹

如今整個電路系統(tǒng)，性能要求越來越高，功耗要求越來越低，其設(shè)計也越來越復(fù)雜，在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計中會存在各個元器件之間的工作電壓不一致的情況;

2023-12-26 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器場效應(yīng)管 6533 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動。

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 EOS 1.1萬 0

從底層重新認識D觸發(fā)器、建立時間和保持時間

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應(yīng)晶體管）是一種場效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，...

2023-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 D觸發(fā)器 2242 0

NMOS管的特性曲線（二）— 轉(zhuǎn)移特性曲線詳解

轉(zhuǎn)移特性曲線：固定VDS值，MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS晶體管漏電流柵極電壓 2.0萬 1

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(1)

現(xiàn)在我們把時間變量圖片加入，進行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲的電荷開始衰減，衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復(fù)合

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT 電流突變載流子 1214 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們詳細地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT MOS BJT 965 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—抗輻照特性介紹

氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發(fā)的電子空穴對會對絕緣層的特性造成影響。

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBT MOS器件閾值電壓 2579 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT MOS 2905 0

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系

分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS 閾值電壓 4608 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體 IGBT 3965 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機制

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅 IGBT MOS 5365 0

分享一種單片機IO口測量外部電阻的方法

在以前的有些單片機應(yīng)用中，有的時候會遇到 AD 端口資源不夠用的情況，但又需要測量電阻的大小。

2023-11-24 標(biāo)簽：單片機熱敏電阻定時器 2930 0

通過電路符號認知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET

2023-11-21 標(biāo)簽：MOSFET 閾值電壓 3161 0

聊一下IGBT驅(qū)動中的參考電位問題

大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當(dāng)柵極相對于發(fā)射極電位 *...

2023-11-09 標(biāo)簽：IGBT 隔離電源電平逆變器 1493 0

利用外部中斷方式來檢查按鍵KEY狀態(tài)

我們學(xué)習(xí)了如何使用 Micropython 和 ESP32 實現(xiàn) GPIO 輸入輸出功能。然而，這種方式存在一個問題：代碼需要不斷地檢測 IO 輸入口的...

2023-11-08 標(biāo)簽：led燈外部中斷歐姆電阻 2335 0

WPE效應(yīng)的概念如何讓減小WPE效應(yīng)呢？

如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應(yīng)。

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管輸出電壓 SCA 7672 0

在PDK中是如何定義Vth的呢？

以N管為例（P管類似），當(dāng)Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區(qū)留下負離子以鏡像柵上的電荷。

2023-10-31 標(biāo)簽：MOS管晶體管靜態(tài)電流 9002 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準，將該標(biāo)準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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