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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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在特殊集成電路領(lǐng)域,紫光國微的fpga產(chǎn)品繼續(xù)保持著行業(yè)市場的領(lǐng)先地位,用戶范圍也在不斷擴(kuò)大。新一代高性能產(chǎn)品的研發(fā)正在順利進(jìn)行,即將完成研發(fā)。特殊n...
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9...
缺乏殺手級應(yīng)用 消息稱NAND閃存價(jià)格低迷或比預(yù)期更長
臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道說,蘋果公司的新一代iphone可以改善存儲(chǔ)芯片制造商的銷售,但從季節(jié)上看,2023年下半年家電市場的需求不會(huì)大幅增加。世界主要閃存...
三星、SK海力士存儲(chǔ)器庫存破表 牽動(dòng)南亞科、華邦、群聯(lián)等后市
據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱,去年第四季度在dram領(lǐng)域,三星以45.1%的世界市場占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在...
三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今...
在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長,NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存...
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND...
Pure Storage開創(chuàng)行業(yè)先河:以全閃存解決方案滿足各種存儲(chǔ)需求
Pure Storage 豐富的產(chǎn)品組合涵蓋高性能、大容量、高性價(jià)比的產(chǎn)品,且始終保持現(xiàn)代化 2023年8月8日,中國——專為多云環(huán)境提供先進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技...
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前,IDC公布《2023年第一季度中國企業(yè)級存儲(chǔ)市場跟蹤報(bào)告》,報(bào)告顯示,中國企業(yè)級數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場銷售額同比增...
三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand...
國產(chǎn)8MB SPI Nor Flash GT25Q80A
聚辰半導(dǎo)體推出SPI NOR Flash產(chǎn)品,可以覆蓋從消費(fèi)級,到工業(yè)級,直至汽車級的所有應(yīng)用,產(chǎn)品在可靠性,功耗,溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國內(nèi)...
佰維存儲(chǔ)面向旗艦智能手機(jī)推出UFS3.1高速閃存
手機(jī)“性能鐵三角”——SoC、運(yùn)行內(nèi)存、閃存決定了一款手機(jī)的用戶體驗(yàn)和定位,其中存儲(chǔ)器性能和容量對用戶體驗(yàn)的影響越來越大。
TBW是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù),并探討如何降低...
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D T...
2023-07-19 標(biāo)簽:閃存NAND數(shù)據(jù)傳輸 1527 0
消息稱供應(yīng)商擬Q4提前拉貨,推動(dòng)DRAM價(jià)格上漲
在nand,供應(yīng)商正在試圖減少價(jià)格下跌。但由于csp(云服務(wù)提供企業(yè))的需求持續(xù)減少,nand價(jià)格的穩(wěn)定出現(xiàn)了問題。目前,該公司預(yù)測說,谷歌和微軟的na...
隨著行業(yè)景氣度反轉(zhuǎn),國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈條企業(yè)也加快產(chǎn)業(yè)鏈布局,除了兆易創(chuàng)新,北京君正等股票,東芯股份、普冉股份等企業(yè)外,萬潤科技、力源信息,香農(nóng)芯創(chuàng)、國...
分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介...
三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
Omdia:半導(dǎo)體市場連續(xù)5個(gè)月下跌,創(chuàng)最長記錄
Omdia的最新研究表明,2023年第一季度半導(dǎo)體市場收入連續(xù)第五個(gè)季度下降。這是自2002年Omdia開始跟蹤市場以來記錄最長的下跌期。2023年第一...
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