中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。

2019-09-19 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 966 0

移動(dòng)裝置浪潮，為NAND Flash開(kāi)辟新市場(chǎng)

在移動(dòng)裝置的帶動(dòng)之下，閃存市場(chǎng)成長(zhǎng)快速，根據(jù)IHS iSuppli研究指出，由于手機(jī)、游戲控制面板和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品市場(chǎng)擴(kuò)大，NAND Flash在...

2013-07-12 標(biāo)簽：閃存SanDiskNAND Flash 966 0

NAND閃存制造商計(jì)劃削減2019產(chǎn)能

NAND 供應(yīng)數(shù)量現(xiàn)已遠(yuǎn)超市場(chǎng)需求，這將會(huì)導(dǎo)致 2019 年一季度多個(gè)類(lèi)別的產(chǎn)品價(jià)格下跌或高達(dá) 20% 。為確保短期和長(zhǎng)期的盈利能力，三家制造商已于過(guò)去...

2019-04-28 標(biāo)簽：英特爾閃存美光 962 0

三星晶圓廠事故 或?qū)⒂绊懭騼?nèi)存、閃存行業(yè)走勢(shì)

前兩天三星位于韓國(guó)的華城工業(yè)園的幾座晶圓廠遭遇停電事故，事后發(fā)現(xiàn)停電只有3分鐘而已，但已經(jīng)波及了三星內(nèi)存、閃存及邏輯芯片代工三大業(yè)務(wù)。消息一出，全球相關(guān)...

2020-01-02 標(biāo)簽：閃存三星電子內(nèi)存 958 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)全面下滑 NAND閃存、DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅度下滑

不論是全球半導(dǎo)體市場(chǎng)還是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)，今年Q1季度都出現(xiàn)了下滑的趨勢(shì)，根據(jù)SIA數(shù)據(jù)顯示，2019年第一季度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)同比下降了5.5%。根據(jù)中國(guó)...

2019-05-27 標(biāo)簽：閃存NAND 957 0

5G時(shí)代就緒：刺激全閃存的市場(chǎng)增長(zhǎng)

數(shù)據(jù)的不斷增長(zhǎng)和企業(yè)對(duì)數(shù)據(jù)管理不斷變化的需求，一直推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。從早期以解決存儲(chǔ)容量為目的的DAS，到實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)更多功能的SAN和NAS，再到以提...

2019-05-30 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 951 0

三星計(jì)劃投資1266億元 鞏固自己在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的老大地位

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子本周二發(fā)布消息稱(chēng)，公司將在韓國(guó)投資至少21.4萬(wàn)億韓元（約合人民幣1266億元），以鞏固自己在存儲(chǔ)芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位...

2017-07-04 標(biāo)簽：閃存三星電子 951 0

Kioxia推出業(yè)界首款面向汽車(chē)應(yīng)用的UFS 4.0版嵌入式閃存器件

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業(yè)界首款[2]面向汽車(chē)應(yīng)用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃...

2024-01-31 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)UFS 950 0

賽普拉斯攜手寅通開(kāi)發(fā)SONOS嵌入式閃存IP技術(shù)

寅通科技(Innopower)將結(jié)合賽普拉斯的技術(shù)，運(yùn)用其技術(shù)支持服務(wù)和其它IP去幫助IC設(shè)計(jì)師在下一代SOC和集成賽普拉斯NVM解決方案的新ASIC設(shè)計(jì)。

2011-03-10 標(biāo)簽：閃存嵌入式賽普拉斯 946 0

有媒體報(bào)道稱(chēng)，內(nèi)存和閃存價(jià)格將分別上漲30%、20%

日前有媒體報(bào)道稱(chēng)，受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購(gòu)成本逐步上漲。

2023-10-16 標(biāo)簽：閃存內(nèi)存三星 945 0

將在2020年造成最大破壞的五種存儲(chǔ)技術(shù)介紹

幾十年來(lái)，主要根據(jù)容量和速度來(lái)衡量存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。不再。近年來(lái)，通過(guò)使存儲(chǔ)變得更智能，更靈活且更易于管理的先進(jìn)新技術(shù)和方法，這些穩(wěn)定的基準(zhǔn)得到了增強(qiáng)甚至被取代。

2019-11-21 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)技術(shù) 944 0

三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無(wú)法恢復(fù)

三星電子計(jì)劃將其N(xiāo)AND閃存價(jià)格提高10％，原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。

2019-11-18 標(biāo)簽：閃存NAND 941 0

東芝確定半導(dǎo)體重組計(jì)劃:保留閃存其他全賣(mài)

12月底，日本媒體即報(bào)道，東芝將會(huì)對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)行分拆等重組計(jì)劃。詳細(xì)計(jì)劃近日終于出臺(tái)。

2016-01-24 標(biāo)簽：東芝半導(dǎo)體閃存 941 0

熱能的應(yīng)用 大幅度延長(zhǎng)閃存壽命周期

現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長(zhǎng)。延長(zhǎng) NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。

2012-12-03 標(biāo)簽：閃存NAND熱能 938 0

Q3季度NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，2020年NAND市場(chǎng)或?qū)⑦M(jìn)行大洗牌

今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不...

2018-07-17 標(biāo)簽：閃存NAND 938 0

NAND Flash閃存芯片提價(jià) 可能重新回歸千元以上“站崗”

新年伊始，讓PC用戶(hù)們心情復(fù)雜的消息傳來(lái)，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。

2020-01-02 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 932 0

5G時(shí)代下UFS 3.0高速閃存技術(shù)將得到快速發(fā)展

隨著我國(guó)5G基站的進(jìn)一步建設(shè)，以及各大運(yùn)營(yíng)商5G套餐的落地，我們期盼已久的5G時(shí)代已走進(jìn)我們的生活。為了快速體驗(yàn)5G網(wǎng)絡(luò)的暢享服務(wù)，消費(fèi)者們紛紛開(kāi)啟了自...

2019-11-04 標(biāo)簽：閃存5G 930 0