西數(shù)、鎧俠由于工廠污染損失嚴(yán)重 預(yù)計(jì)閃存Q2季度價(jià)格上漲

近日，由于西數(shù)、鎧俠位于日本的閃存工廠遭遇材料污染事故，導(dǎo)致整批芯片報(bào)廢，有消息稱受損容量約為 6.5EB，4月開始基本上就沒有東西能產(chǎn)出，預(yù)計(jì)4、5 ...

2022-03-01 標(biāo)簽：芯片閃存西數(shù) 1334 0

串口MRAM芯片MR25H10CDF概述及特點(diǎn)

Everspin成立于2006年，是從飛思卡爾分離出來的一家半導(dǎo)體科技公司，以領(lǐng)導(dǎo)非易失性MRAM存儲(chǔ)芯片為公司主導(dǎo)致力于非易失性存儲(chǔ)芯片的發(fā)展，是全球...

2021-06-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體閃存 1323 0

華為緊急大量備貨 閃存出貨容量暴漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告，2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％，只是平均售價(jià)減少了9％，導(dǎo)致總收入只微增了0.3％...

2020-12-01 標(biāo)簽：閃存NAND華為 1318 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在...

2019-09-03 標(biāo)簽：閃存5G紫光集團(tuán) 1317 0

iNAND MC EU521嵌入式通用閃存 增強(qiáng)了5G智能手機(jī)用戶體驗(yàn)

西部數(shù)據(jù)借助其嵌入式通用閃存（UFS）設(shè)備iNAND MC EU521，為移動(dòng)開發(fā)人員提供了增強(qiáng)5G智能手機(jī)用戶體驗(yàn)的能力。

2020-03-03 標(biāo)簽：閃存西部數(shù)據(jù) 1317 0

Intel第二代QLC硬盤技術(shù)改進(jìn) 壽命提升了50%

盡管很多人并不喜歡QLC閃存，但是在不斷降低成本的壓力下，從三星到美光再到Intel等公司已經(jīng)把QLC閃存作為重點(diǎn)來抓，Intel今天就推出了第二代QL...

2019-11-27 標(biāo)簽：閃存硬盤qlc 1314 1

旺宏與Spansion的全球?qū)＠V訟與爭(zhēng)議已達(dá)成和解

全球非揮發(fā)性閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏電子（TSE： 2337） 與Spansion公司 （NYSE：CODE） 近日宣布，雙方就全球的專利訴訟及爭(zhēng)議已達(dá)成和解。

2015-01-28 標(biāo)簽：閃存Spansion旺宏 1310 0

SanDisk：3D NAND閃存開始出擊

7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。

2013-07-25 標(biāo)簽：閃存3D NANDSandDisk 1309 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1307 0

護(hù)航數(shù)字經(jīng)濟(jì) 浪潮高端增速中國(guó)領(lǐng)先

大型銀行保管著儲(chǔ)戶的錢袋、醫(yī)療數(shù)據(jù)關(guān)系病患的生死、電網(wǎng)數(shù)據(jù)影響千行百業(yè)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。在銀行、運(yùn)營(yíng)商、醫(yī)院、交通、能源等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域，數(shù)據(jù)都扮演著重要的角色...

2021-11-26 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1302 0

2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)大洗牌 變數(shù)不只是降價(jià)這么簡(jiǎn)單

時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格...

2019-01-09 標(biāo)簽：閃存NAND 1294 0

三星閃存廠布局中國(guó) 棋子將落何方？

三星計(jì)劃投資40億美元在中國(guó)建NAND閃存廠。如此之大的項(xiàng)目對(duì)任何一個(gè)城市來說都是一大誘惑。

2012-01-12 標(biāo)簽：閃存三星電子中國(guó) 1290 0

iPhone 16 Pro或推動(dòng)內(nèi)存升級(jí)至2TB 潛在增加拍攝攝像頭功能

日前，業(yè)內(nèi)人士“yeux1122”在社交媒體上透露，因蘋果公司可能轉(zhuǎn)用更高性能的QLC NAND閃存以提升產(chǎn)品的存儲(chǔ)性能，故選取該方式來拓展iPhone...

2024-01-24 標(biāo)簽：閃存NANDiPhone 1289 0

美國(guó)或再度升級(jí)對(duì)華芯片制造設(shè)備出口限制

報(bào)道顯示，拜d政府?dāng)M將17類（臺(tái)）超百萬美元的設(shè)備制裁，擴(kuò)大到34類（擴(kuò)大一倍）。這一限制是在2022年10月出臺(tái)的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制基礎(chǔ)上的進(jìn)一步升級(jí)...

2023-03-13 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 1289 0

QLC閃存至少發(fā)展四代產(chǎn)品？售價(jià)無法完全理想化

閃存顆粒主要有SLC、MLC和TLC、QLC四種閃存顆粒，至于更新一代的PLC閃存目前尚無定論。日本PCWatch網(wǎng)站分析NADN閃存的發(fā)展趨勢(shì)，指出Q...

2020-04-07 標(biāo)簽：閃存qlc 1280 0

DDR4內(nèi)存市場(chǎng)需求一路飆高 美光、三星最高興

受惠物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車和無人機(jī)等大舉爆發(fā)，加上智能手機(jī)內(nèi)存越來越大，對(duì)內(nèi)存需求在增加，而且裝機(jī)旺季讓內(nèi)存成為搶手品，尤其是趕在Intel和AMD新一代處理...

2017-04-06 標(biāo)簽：閃存三星電子內(nèi)存 1279 0