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閃存

閃存

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閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

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閃存資訊

簡(jiǎn)述閃存的工作原理及存儲(chǔ)和記錄數(shù)據(jù)

手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的NAND閃存問(wèn)世于1987年,首次量產(chǎn)則是在4年之后。當(dāng)年的東芝閃存部門(mén)如今已經(jīng)成為新的KIOXIA鎧俠,不過(guò)NAND閃存...

2020-07-28 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ) 1.3萬(wàn) 0

閃存的價(jià)格轉(zhuǎn)為下跌,NAND閃存將進(jìn)入調(diào)整期

日經(jīng)新聞表示,自2016年iPhone搭載了可容納幾十部高清電影的閃存之后,全球智能手機(jī)的容量紛紛變大。此外,IT企業(yè)將個(gè)人信息保存于數(shù)據(jù)中心的需求也出...

2018-03-15 標(biāo)簽:閃存NAND 1.3萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會(huì)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán),甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能,想獲得突破...

2018-11-23 標(biāo)簽:閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3萬(wàn) 0

非易失性存儲(chǔ)器的分類和未來(lái)發(fā)展預(yù)測(cè)

非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品...

2018-12-23 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 1.2萬(wàn) 0

開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹

開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹

本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interfac...

2023-06-21 標(biāo)簽:閃存NAND接口 1.2萬(wàn) 0

Flash閃存有哪些類型,F(xiàn)lash閃存分類

Flash閃存有哪些類型 Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器,這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后,內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技...

2010-03-25 標(biāo)簽:閃存Flash 1.2萬(wàn) 1

一文詳解閃存flash讀寫(xiě)的原理

首先講述的是基本原理,因?yàn)榍懊婵偨Y(jié)了很多基本原理,所以這個(gè)位置比較粗略的帶過(guò)。

2020-12-23 標(biāo)簽:閃存FlaSh 1.2萬(wàn) 0

對(duì)閃存市場(chǎng)來(lái)說(shuō) 最大的變數(shù)是國(guó)產(chǎn)的YMTC長(zhǎng)江存儲(chǔ)

在CES展會(huì)上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤(pán)中,這是六大閃存原廠中第一個(gè)...

2020-01-08 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)SK海力士 1.2萬(wàn) 0

七彩虹推出兩款M.2 NVMe SSD,表現(xiàn)非常出色

隨著Flash閃存顆粒的降價(jià),大容量、NVMe已經(jīng)成為SSD固態(tài)硬盤(pán)的兩個(gè)主流發(fā)展趨勢(shì)。120GB如今應(yīng)成為SSD的入門(mén)級(jí)容量,難堪大用,240GB已然...

2018-06-12 標(biāo)簽:閃存ssd七彩虹 1.2萬(wàn) 0

SSD 256GB、512GB有什么區(qū)別,廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢?

現(xiàn)在大家裝機(jī),SSD硬盤(pán)肯定是少不了的,不然性能是無(wú)法忍受的,SSD唯一不爽的就是容量了,大部分還在1TB以內(nèi)。 對(duì)于容量,SSD硬盤(pán)很多都會(huì)有240G...

2020-12-01 標(biāo)簽:閃存硬盤(pán)容量 1.2萬(wàn) 0

閃存是什么意思?華為p10閃存門(mén)背后,三星成最大贏家彰顯優(yōu)勢(shì)!

三星作為手機(jī)行業(yè)的上游霸主,有著強(qiáng)大的科技創(chuàng)新實(shí)力以及完整的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì),再加上其身為國(guó)際大品牌的影響力促使其對(duì)名譽(yù)有著更加負(fù)責(zé)任的擔(dān)當(dāng)精神,這也使得三星...

2017-05-11 標(biāo)簽:閃存三星電子華為 1.1萬(wàn) 0

內(nèi)存市場(chǎng)轉(zhuǎn)向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及

在內(nèi)存市場(chǎng),業(yè)界普遍認(rèn)為,在前沿SoC(片上系統(tǒng))和大規(guī)模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)可謂非?;钴S。到目前為止,處理器內(nèi)核的程序...

2019-03-13 標(biāo)簽:閃存三星電子intel 1.1萬(wàn) 0

FTL算法的好壞,直接決定了SSD在性能

每擦除一次閃存塊,都會(huì)對(duì)閃存塊有磨損,因此閃存塊都是有壽命的,用PE(Program/Erase Count)數(shù)衡量。我們不能集中往某幾個(gè)閃存塊上寫(xiě)數(shù)據(jù)...

2018-10-09 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)介質(zhì)SSD 1.1萬(wàn) 0

Gartner發(fā)布2020年主存儲(chǔ)魔力象限報(bào)告

Gartner發(fā)布了存儲(chǔ)圈最重要的報(bào)告,2020年主存儲(chǔ)魔力象限報(bào)告。 我一看,今年這個(gè)魔力象限好奇怪,8個(gè)領(lǐng)導(dǎo)者廠商,4個(gè)挑戰(zhàn)者,1個(gè)利基市場(chǎng),而在遠(yuǎn)...

2020-12-07 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器Gartner 1.1萬(wàn) 0

QLC、PLC閃存有多坑?最快35次寫(xiě)完

SSD硬盤(pán)現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始從TLC閃存向著QLC閃存升級(jí),未來(lái)很快還會(huì)升級(jí)到PLC,容量還會(huì)增加,但是代價(jià)就是寫(xiě)入壽命越來(lái)越低。從行業(yè)報(bào)告來(lái)看,PLC閃存的...

2020-06-30 標(biāo)簽:閃存plcqlc 1.0萬(wàn) 0

未來(lái)五年預(yù)計(jì)上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)?

8月5日,在美國(guó)舉行的MRAM開(kāi)發(fā)者日活動(dòng)上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場(chǎng)的最新趨勢(shì)...

2019-08-08 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器MRAM 1.0萬(wàn) 0

鎧俠:PCIe Gen5 SSD襲卷2024年,閃存技術(shù)創(chuàng)新,加速生成式AI落地

鎧俠:PCIe Gen5 SSD襲卷2024年,閃存技術(shù)創(chuàng)新,加速生成式AI落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)生成式AI是最近行業(yè)最火的話題,作為存儲(chǔ)芯片國(guó)際大廠的鎧俠,對(duì)于閃存在生成式AI時(shí)代的技術(shù)和應(yīng)用有著前瞻的理解和舉措。與此...

2024-04-02 標(biāo)簽:閃存SSDAI 1.0萬(wàn) 0

巨頭夾擊下Memblaze的發(fā)展壯大了

能夠想象嗎?面對(duì)Intel、三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、希捷這樣強(qiáng)大的對(duì)手,Memblaze生存了下來(lái)了,發(fā)展壯大了,春天來(lái)了!

2019-03-09 標(biāo)簽:閃存pcie 1.0萬(wàn) 1

華為P10閃存門(mén)未果 一文帶你了解UFS 2.0/UFS 2.1究竟有何區(qū)別

華為P10閃存門(mén)未果 一文帶你了解UFS 2.0/UFS 2.1究竟有何區(qū)別

隨著UFS的普及,多數(shù)人可能更關(guān)心UFS2.0/UFS2.1之間的具體區(qū)別,下面小編就帶各位讀者一探究竟。

2017-05-09 標(biāo)簽:閃存華為p10 1.0萬(wàn) 0

什么是閃存?華為p10閃存門(mén)過(guò)后,華為高管透露:我們要造屏幕和內(nèi)存啦!

最近,華為某款手機(jī)的“閃存門(mén)”事件,被網(wǎng)友們熱議。面對(duì)網(wǎng)友及媒體的質(zhì)疑,在近日的手機(jī)開(kāi)放日活動(dòng)上,華為終端CEO余承東高調(diào)回應(yīng)。他表示,混用閃存并不是為...

2017-05-18 標(biāo)簽:閃存華為 9969 0

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    HDD,Hard Disk Drive的縮寫(xiě),即硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的英文名。最基本的電腦存儲(chǔ)器,電腦中常說(shuō)的電腦硬盤(pán)C盤(pán)、D盤(pán)為磁盤(pán)分區(qū)都屬于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。硬盤(pán)一般常見(jiàn)的磁盤(pán)容量為80G、128G、160G、256G、320G、500G、750G、1TB、2TB等等。
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    microSD
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    Micro SD卡是一種極細(xì)小的快閃存儲(chǔ)器卡,其格式源自SanDisk創(chuàng)造,原本這種記憶卡稱為T(mén)-Flash,及后改稱為T(mén)rans Flash;而重新命名為Micro SD的原因是因?yàn)楸籗D協(xié)會(huì)(SDA)采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括Mini SD和SD卡。其主要應(yīng)用于移動(dòng)電話,但因它的體積微小和儲(chǔ)存容量的不斷提高,已經(jīng)使用于GPS設(shè)備、便攜式音樂(lè)播放器和一些快閃存儲(chǔ)器盤(pán)中。
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    存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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