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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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iPhone8將入門版本內(nèi)存提高至128G？蘋果狂買NAND閃存
已經(jīng)有不少消息顯示，蘋果要在今年推出三款iPhone，分別是iPhone 7S、7S Plus和iPhone 8，如何讓三款新機區(qū)分的更徹底呢，外形恐怕...
閃存破局“內(nèi)存焦慮”，AI微調(diào)訓(xùn)練增加閃存消耗
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）面對蓬勃發(fā)展的AI，在MemoryS 2025上，群聯(lián)電子執(zhí)行長潘健成表示，面對AI服務(wù)器成本太高、數(shù)據(jù)上云端不安全等挑戰(zhàn)...
閃存體系結(jié)構(gòu)包括堆疊有大量閃存單元的存儲陣列?；镜拈W存單元由具有控制柵和浮柵的存儲晶體管組成，浮柵通過薄介電材料或氧化物層與晶體管的其余部分絕緣。浮柵...
Intel上個月剛剛發(fā)布了其首款QLC SSD 660P，它因為QLC的低成本大容量特點，以相同容量下更低的價格擁有更高的性價比。雖然QLC性能相對弱...
觀察者網(wǎng)大橘財經(jīng)訊（文/呂棟 編輯/尹哲）二季度，英特爾以NAND閃存為主的存儲業(yè)務(wù)，在疫情刺激的大量需求下實現(xiàn)扭虧，但經(jīng)歷連續(xù)六個季度虧損的噩夢后，該...
瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可提供高達(dá)4MB片上閃存
全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1MB的片上SRAM。
SK海力士鯨吞Intel的閃存及存儲業(yè)務(wù)，意欲與三星爭奪第一寶座
2020年10月20日上午消息，存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當(dāng)?shù)貢r間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元...
無論您如何使用設(shè)備或日常計算需求，實際上都必須購買滿足您需求的最佳USB閃存驅(qū)動器。
三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤上架 提供了三年質(zhì)保
三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網(wǎng)，作為三星首款面向消費者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內(nèi)部為三星自主MJX主控、三...
NAND Flash是目前閃存中最主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢，其陣列內(nèi)部包含由晶體管構(gòu)成的行列單元。
三星半導(dǎo)體UFS新品即將來襲，UFS 4.0和UFS 5.0即將推出
UFS 4.0的技術(shù)升級令人矚目。與舊版本相比，其通道數(shù)量翻倍，從原先的2路升至4路，如同拓寬的高速公路，讓數(shù)據(jù)傳輸通道更為暢通，能夠并行處理更多數(shù)據(jù)流。
2024-03-21 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)中心三星半導(dǎo)體 2672 0
來源：ST社區(qū) 單片機故障，如何處理？ 閃存是很多單片機 (或稱微控制器)的一個重要組成部分，是一種長壽命的非易失性的存儲器。有時可能會遇到由于意外錯誤...
NAND Flash閃存的價格在2019年將繼續(xù)下滑
SSD的價格沒有最低，只有更低。據(jù)報道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計榨干50%水分。此...
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)，迎來新發(fā)展
近些年來，隨著中國科技的發(fā)展，無數(shù)的科技企業(yè)出現(xiàn)在了我們面前。與此同時，在電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展之下，我國企業(yè)也開始意識到了芯片的自給自足的重要性。
中國移動公布全閃存儲產(chǎn)品集中采購中標(biāo)結(jié)果，浪潮入選
日前，中國移動公布2020年至2021年全閃存儲產(chǎn)品集中采購中標(biāo)結(jié)果，浪潮全閃存儲入選，中標(biāo)金額超3000萬元。據(jù)悉，本次集采是電信運營商領(lǐng)域首次全閃存...
三星：2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
NAND Flash實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，即將跨入128層時代
日前，美光發(fā)布第二季度財報，其在電話會議中美光透露，即將開始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG（replacement gate）架構(gòu)的第四代3D NAND存儲設(shè)備。
據(jù)報道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAN...
利用閃存特性,研究人員設(shè)計出遇到勒索軟件時恢復(fù)舊文件的方法
即使系統(tǒng)參數(shù)發(fā)生了動態(tài)變化，他們的工具也能保證數(shù)據(jù)至少保留三天。
2019-06-04 標(biāo)簽：閃存 2613 0
閃存速度低？ 國外網(wǎng)友測試華為旗艦：狂飆1002M！
最近，華為某款旗艦機的閃存問題，被網(wǎng)友們熱議。有網(wǎng)友表示，該機的閃存速度略低，不知會不會影響用戶體驗。而最近，國外某網(wǎng)友也針對該機，進(jìn)行了相關(guān)測試，...
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