Dialog半導(dǎo)體公司推出業(yè)內(nèi)功耗最低的閃存器件，進(jìn)一步豐富其IoT產(chǎn)品組合

與現(xiàn)有的SPI NOR Flash解決方案相比，AT25EU系列最大的差異化特性是在不影響性能的前提下實(shí)現(xiàn)了更低的總能耗。

2021-04-27 標(biāo)簽：閃存dialogFlash存儲器 3593 0

平地春雷到“風(fēng)林火山” 憶芯蛻變

憶芯CEO沈飛表示：“STAR1000P正式研發(fā)始于2017年10月9日，其中包含了40名硬件工程師，經(jīng)過286個(gè)日夜，提交310萬行設(shè)計(jì)驗(yàn)證代碼，解決...

2019-01-24 標(biāo)簽：閃存SSD控制芯片 3592 0

美光公司發(fā)布了2018財(cái)年Q3季度財(cái)報(bào),創(chuàng)造了美光季度營收新高

根據(jù)美光的財(cái)報(bào)信息，受益于eMMC、eMCP市場，美光高價(jià)值移動NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，...

2018-06-27 標(biāo)簽：閃存NAND 3575 0

西數(shù)開發(fā)低延遲閃存(LLF),用于與英特爾的傲騰存儲競爭

在本周的活動上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。

2019-03-25 標(biāo)簽：閃存西部數(shù)據(jù) 3569 0

淺析閃存如何推動當(dāng)今的存儲市場發(fā)展

如今，企業(yè)數(shù)據(jù)存儲市場正在快速增長，其市場核心是閃存。閃存市場增長強(qiáng)勁，閃存正變得越來越不可或缺，以幫助數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商和存儲廠商迎接下一代工作負(fù)載正在重...

2018-07-24 標(biāo)簽：閃存存儲 3568 0

長江存儲推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

8月28日，長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI，目前官方微博、官方微信公眾號均已上線。長江存儲表示，致，是格物致知，是精誠所致，更是寧靜致遠(yuǎn)。鈦...

2020-08-28 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 3562 0

PNY發(fā)布首款PCIe4.0SSD產(chǎn)品XLR8CS3040_11月中旬上市

PCIe4.0SSD產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)豐富，PNY（必恩威）終于姍姍來遲，推出了旗下首款產(chǎn)品，型號為“XLR8CS3040”。

2020-10-26 標(biāo)簽：閃存散熱片 3561 0

閃存可降低MCU系統(tǒng)功耗？

備的設(shè)計(jì)越來越多地采用片上嵌入式內(nèi)存容量有限的微控制器，或者干脆完全避開閃存。原因之一是，盡管可以嵌入所需的任意大小容量的內(nèi)存，但是為了實(shí)現(xiàn)更高性能而逐...

2020-12-23 標(biāo)簽：微控制器mcu閃存 3540 0

SK海力士全球首個(gè)量產(chǎn)128層堆疊4D閃存：沖擊176層

SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個(gè)月。

2019-06-27 標(biāo)簽：閃存存儲芯片SK海力士 3538 0

華為全閃存存儲業(yè)務(wù)增長迅速，SSD盤替代硬盤是最主要的原因之一

對于2017年的成績，華為存儲產(chǎn)品線總裁孟廣斌將其總結(jié)為“有質(zhì)量的增長”。在不久前的媒體溝通會上，這位華為存儲產(chǎn)品線的當(dāng)家人引用IDC最新的數(shù)據(jù)展示了...

2018-06-22 標(biāo)簽：閃存華為SSD 3536 0

賽普拉斯攜手海力士建NAND閃存合資公司

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司成立合資公司。

2018-11-07 標(biāo)簽：閃存NAND賽普拉斯 3528 0

長江存儲月產(chǎn)能達(dá)成10萬片，64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報(bào)道，長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2020-01-15 標(biāo)簽：閃存長江存儲 3525 0

英特爾的“二戰(zhàn)”之路離不開中國市場,國產(chǎn)存儲器企業(yè)陣隊(duì)的成形

在剛剛舉行的第六屆中國電子信息博覽會上，紫光董事長趙偉國宣布國內(nèi)首款自主知識產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將在2018年年底前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；64層3D ...

2018-09-28 標(biāo)簽：英特爾閃存存儲器 3524 0

英特爾3D XPoint：一種新的內(nèi)存類型，速度比閃存快千倍

英特爾在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周日開始出貨首批基于3D XPoint新技術(shù)的產(chǎn)品，希望借此重塑計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場，協(xié)助公司從科技行業(yè)的數(shù)據(jù)爆炸中獲得更多利潤。

2018-09-16 標(biāo)簽：英特爾閃存內(nèi)存 3519 0

簡述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個(gè)限制么？

2021-04-01 標(biāo)簽：閃存NANDemc 3510 0

未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存NAND3D 3498 0

東芝停電事件是否對閃存市場造成影響

近日，有消息稱，2019年6月15日，日本四日市市停電13分鐘（從18:25到18:38）。值得注意的是，由于東芝存儲器在該市擁有多個(gè)工廠，因此此次四日...

2019-06-22 標(biāo)簽：東芝閃存存儲器 3494 0