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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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Spansion HyperBus 接口為嵌入式工程師助力前行!
Spansion HyperBus 接口極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間,幫助嵌入式設(shè)計(jì)工程師開(kāi)發(fā)出高速解決方案來(lái),滿足下一代電子產(chǎn)品的即開(kāi)即用(...
基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品介紹
基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品可以極大地改善性能,同時(shí)減少引腳數(shù)量。芯片組廠商通過(guò)將HyperFlash?和HyperRA...
Spansion中國(guó)區(qū)技術(shù)支持淺談Spansion最新65nm技術(shù)GL-S系列NOR閃存產(chǎn)品
閃存芯片陣列+計(jì)算加速器,在個(gè)人電腦達(dá)到服務(wù)器級(jí)性能
最近,麻省理工學(xué)院計(jì)算機(jī)科學(xué)與人工智能實(shí)驗(yàn)室(CSAIL)的研究人員設(shè)計(jì)出一種設(shè)備,使用廉價(jià)的閃存(智能手機(jī)中使用的那種),僅使用一臺(tái)個(gè)人電腦就能處理大...
層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高,要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候,存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大,然而每層的厚...
對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重...
解讀SSD基本工作原理和產(chǎn)品的核心參數(shù)
SSD前端負(fù)責(zé)和主機(jī)直接通訊,接收主機(jī)發(fā)來(lái)的命令和相關(guān)數(shù)據(jù),命令經(jīng)SSD處理后,最終交由前端返回命令狀態(tài)或數(shù)據(jù)給主機(jī)。SSD通過(guò)諸如SATA、SAS和P...
多年來(lái),汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知,汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過(guò)300億美元,而隨著ADAS的增加、燃油效率...
在全閃存陣列購(gòu)買決策中應(yīng)用的六個(gè)最佳實(shí)踐
幾乎任何與企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)相關(guān)的文章都會(huì)討論閃存的優(yōu)點(diǎn)。然而,雖然許多企業(yè)目前正在使用閃存,但大多數(shù)才開(kāi)始在規(guī)模上使用閃存產(chǎn)品,以承載更多的應(yīng)用程序。隨著企...
2018-05-15 標(biāo)簽:閃存 3204 0
單而言,擁有生產(chǎn)晶圓的廠商生產(chǎn)出一個(gè)完整的晶圓,晶圓由純硅(Si)構(gòu)成,一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等,晶片就是基于晶圓生產(chǎn)出來(lái)的。
固態(tài)硬盤(pán)vs.機(jī)械硬盤(pán)的分析并不像看起來(lái)那么簡(jiǎn)單
對(duì)于性能至關(guān)重要的主要工作負(fù)載,SSD硬盤(pán)或某種混合型變體可能是最佳選擇。此時(shí),只有在特殊情況下,IT團(tuán)隊(duì)才會(huì)考慮將HDD硬盤(pán)用于關(guān)鍵工作負(fù)載,例如短期...
2018-04-27 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)固態(tài)硬盤(pán) 9927 0
在這篇文章中,我們將對(duì)閃存進(jìn)行分析。我的實(shí)驗(yàn)?zāi)繕?biāo)是一臺(tái)別人“捐贈(zèng)”過(guò)來(lái)的Netcomm N300路由器,在進(jìn)行了深入研究之后,我可以通過(guò)修改設(shè)備閃存的讀...
隨著成本降低和技術(shù)進(jìn)步,閃存越來(lái)越多的被企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心作為存儲(chǔ)介質(zhì)使用。相比傳統(tǒng)的磁盤(pán)介質(zhì),閃存的優(yōu)勢(shì)顯而易見(jiàn):速度快,耗電低,省空間。特別在速度方面,...
閃存驅(qū)動(dòng)器的另一個(gè)主要問(wèn)題是電源故障保護(hù)。臨時(shí)緩沖區(qū)包含驅(qū)動(dòng)器下一步應(yīng)該寫(xiě)入的數(shù)據(jù)以及必須擦除的舊位置等信息,這些存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器中,這種情況下,突然...
發(fā)現(xiàn)閑置的物理塊區(qū)塊個(gè)數(shù)不足(少于3),啟動(dòng)垃圾回收,將物理區(qū)塊3上的有效數(shù)據(jù)(LBA3 數(shù)據(jù))寫(xiě)至物理區(qū)塊4,更新LBA3的邏輯物理塊映像表格,并將物...
2018-03-27 標(biāo)簽:閃存固態(tài)硬盤(pán) 4907 0
SSD上成功地進(jìn)行全系統(tǒng)的本地權(quán)限提升的攻擊的要求
Rowhammer [10,19]把硬件的內(nèi)部運(yùn)作引入到我們的注意力中。 Rowhammer利用內(nèi)存管理更深層次的缺陷來(lái)破壞敏感的內(nèi)存區(qū)域。最近的工作表...
關(guān)于TLC的定義以及TLC閃存顆粒的缺點(diǎn)詳解
TLC是一種閃存顆粒的存儲(chǔ)單元,它的英文是TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell。在TLC發(fā)明之前,固態(tài)硬盤(pán)大部分采用...
SSD會(huì)由于閃存磨損、傳輸信號(hào)變化等原因出現(xiàn)傳輸錯(cuò)誤,因此SSD極其需要主控?fù)碛蠩CC糾錯(cuò)去糾正這些錯(cuò)誤,避免由于錯(cuò)誤而影響正常使用。
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