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標簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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超分辨光刻裝備落地，可實現(xiàn)10nm以下的芯片生產
國內的半導體芯片對進口依賴非常高，特別是高端的內存、閃存、處理器等芯片，國內的技術落后，還不能完全國產替代。國內半導體在制造領域是落后最多的，很多人都知...
多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導體市場的年收入已經超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效...
固態(tài)硬盤的耐用性受多方面的影響，如何能讓它更加長壽？
采用BiCS閃存的東芝固態(tài)硬盤在閃存耐用性上獲得了極佳的保障。內置SSD溫度傳感器配合主控保護算法，能夠避免高溫給固態(tài)硬盤帶來損害。對于固態(tài)硬盤而言，唯...
現(xiàn)在在MCU上實現(xiàn)固件升級（OTA）功能變得越來越普遍，今天我們就來探討一下MCU固件升級（OTA）的幾種閃存（Flash）劃分方式。
三星960系列M.2 SSD評測：最高速度3500MB/s！
說到性能最強的M.2 SSD，那非三星的960 PRO莫屬，在目前絕大多數(shù)M.2 SSD的最高速度只有2600MB/s的時候，這款產品的最高速度竟達到了...
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機訪問性能。
閃存存儲可實現(xiàn)更高的吞吐量，這意味著每秒鐘可以處理更多數(shù)量的連續(xù)消息。
閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號觸點。它們二者有何區(qū)別？
Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實現(xiàn)方式和運行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機地址的讀取方...
閃存塊（Block）具有一定的壽命，不是長生不老的。前面提到，當一個閃存塊接近或者超出其最大擦寫次數(shù)時，可能導致存儲單元的永久性損傷，不能再使用。隨著閃...
SSD上成功地進行全系統(tǒng)的本地權限提升的攻擊的要求
Rowhammer [10,19]把硬件的內部運作引入到我們的注意力中。 Rowhammer利用內存管理更深層次的缺陷來破壞敏感的內存區(qū)域。最近的工作表...
如何能夠讓用戶放心使用全閃陣列，保障在5年內存儲系統(tǒng)不會因為SSD壽命耗盡而出現(xiàn)問題，是全閃陣列廠商面臨的挑戰(zhàn)。
發(fā)現(xiàn)閑置的物理塊區(qū)塊個數(shù)不足(少于3)，啟動垃圾回收，將物理區(qū)塊3上的有效數(shù)據(jù)（LBA3 數(shù)據(jù)）寫至物理區(qū)塊4，更新LBA3的邏輯物理塊映像表格，并將物...
本系列視頻總共分為5部分。在第1部分視頻中，介紹Maxim獨有的外設管理單元(即PMU)，及其如何減輕CPU核心的負載，有效延長應用的電池壽命。在下節(jié)視...
基于RISC-V內核的K1986BK025微控制器的功能和系統(tǒng)結構
目前，基于開放標準指令集架構RISC-V的解決方案在市場上的占有率越來越高。今天我們?yōu)榇蠹医榻B一款俄羅斯初創(chuàng)公司Milandr剛剛推出的RISC-V處理...
Spansion中國區(qū)技術支持淺談Spansion最新65nm技術GL-S系列NOR閃存產品
最近，麻省理工學院計算機科學與人工智能實驗室（CSAIL）的研究人員設計出一種設備，使用廉價的閃存（智能手機中使用的那種），僅使用一臺個人電腦就能處理大...
SSD（固態(tài)硬盤）的壽命問題是用戶使用全閃陣列時關注的焦點。如何能夠讓用戶放心使用全閃陣列，保障在5年內存儲系統(tǒng)不會因為SSD壽命耗盡而出現(xiàn)問題，是全閃...
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