深入探討MK米客方德 SD NAND磨損均衡技術(shù)

SD NAND內(nèi)部主要由NAND Flash和Flash Controller組成，大多數(shù)人把NAND FLASH?叫做閃存，是一種長壽命的非易失性的存...

2024-06-28 標(biāo)簽：mcu閃存SD NAND 1487 0

淺談MCU固件幾種Flash（閃存）劃分方式

Firmware A區(qū)用來固定執(zhí)行應(yīng)用程序，當(dāng)引導(dǎo)程序（BootLoader）將接收到的新固件存入到Firmware B區(qū)，并校驗(yàn)成功后，F(xiàn)irmwar...

2024-04-17 標(biāo)簽：mcu閃存FlaSh 2009 0

一文搞懂安全存儲(chǔ)相關(guān)的閃存芯片

一、W25N01G的常規(guī)描述W25N01GV有65536個(gè)page(頁)，每頁有2048個(gè)字節(jié)(2KB)可以按照64頁(64頁為1個(gè)block)進(jìn)行擦除...

2024-04-14 標(biāo)簽：閃存閃存芯片安全存儲(chǔ)器 3002 0

韓國研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備

DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？?，但具有易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特...

2024-04-08 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 524 0

NAND存儲(chǔ)種類和優(yōu)勢

非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NA...

2024-03-22 標(biāo)簽：閃存NAND非易失性存儲(chǔ)器 1416 0

NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性及原理圖

與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。

2024-02-19 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 5432 0

長江存儲(chǔ)PC411商用消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤測試

在近兩年里，憑借先進(jìn)的閃存，長江存儲(chǔ)打造了數(shù)款非常成功的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，包括致態(tài)TiPlus5000、致態(tài)TiPlus7100、致態(tài)Ti600等針對(duì)DIY...

2024-01-11 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤長江存儲(chǔ) 2963 0

什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標(biāo)簽：閃存EEPROMfram 3873 0

長江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus7100 4TB SSD評(píng)測

其實(shí)早在年初，就有不少搭載長江存儲(chǔ)閃存顆粒的國產(chǎn)4TB SSD，不過長江存儲(chǔ)的自有品牌致態(tài)，直到現(xiàn)在才推出這款致態(tài)TiPlus7100 4TB。

2023-12-12 標(biāo)簽：閃存SSDPCIe 2565 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存產(chǎn)品中的應(yīng)用探討

歡迎了解 邵滋人，李太龍，湯茂友 宏茂微電子（上海）有限公司 摘要： 在存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展過程中，三維閃存存儲(chǔ)器以其單位面積內(nèi)存儲(chǔ)容量大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，正...

2023-12-14 標(biāo)簽：芯片閃存封裝 1411 0

先進(jìn)封裝形式及其在三維閃存封裝中的可能應(yīng)用

SiP 是將不同功能的芯片(例如存儲(chǔ)器、處理器無源器件等)封裝在同一個(gè)塑封體中,以此來實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整功能的封裝形式4.具有高集成、低功耗、良好的抗機(jī)械和化...

2023-12-11 標(biāo)簽：處理器閃存封裝技術(shù) 2230 0

影響閃存遺忘的主要因素

正如艾賓浩斯記憶曲線所示：輸入的信息經(jīng)過人腦的注意過程后被學(xué)習(xí)，學(xué)習(xí)的信息進(jìn)入人腦短時(shí)記憶。遺忘在學(xué)習(xí)后立即開始，若不及時(shí)加以復(fù)習(xí)，短時(shí)記憶中的信息就會(huì)...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存參考電壓 1170 0

致態(tài)NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB評(píng)測

近日，長江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)發(fā)布了新款NVMe SSD產(chǎn)品TiPlus7100 4TB, 這是品牌第一款4TB大容量產(chǎn)品，之前TiPlus7100提供512...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存SSD長江存儲(chǔ) 2560 0

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存NANDFlaSh 1150 0

SSD和HDD的具體對(duì)比

SSD廠商早就預(yù)測NAND閃存的價(jià)格會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，讓SSD能夠在單價(jià)上與HDD競爭。事實(shí)上，NAND閃存的價(jià)格一直在下降。

2023-12-01 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 2224 0

PY25Q128HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述

PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的...

2023-11-30 標(biāo)簽：閃存寄存器串行接口 1636 0

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。

2023-11-30 標(biāo)簽：閃存NANDFlaSh 3127 0