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半導(dǎo)體應(yīng)變片受力時(shí)阻值的變化主要是由什么引起的
半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來(lái)測(cè)量力學(xué)應(yīng)變的傳感器。
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。
n型p型半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體相比有什么特點(diǎn)？
本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下，自由電子和空穴的數(shù)量很少，因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外，本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān)，...
2023-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體載流子本征半導(dǎo)體 3852 0
什么是EML和DML激光器？EML和DML兩種激光器到底有什么不一樣？
EML（External Cavity Laser）和DML（Distributed Feedback Laser）兩種激光器在光模塊中都扮演著重要的角...
構(gòu)建TiO2/FePS3梯形異質(zhì)結(jié)促進(jìn)高效光催化析氫
受貴金屬助劑效率低、成本高的限制，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)實(shí)的STH轉(zhuǎn)化需要高性能、高性價(jià)比的光催化劑。
在外電場(chǎng)的推動(dòng)下，P區(qū)的多子“空穴”開始向N區(qū)移動(dòng)，與“負(fù)離子”中和；N區(qū)的多子“自由電子”向P區(qū)移動(dòng)，與“正離子”中和，導(dǎo)致這內(nèi)電場(chǎng)里的電荷都被中和掉...
合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管，因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...
本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識(shí)，解釋了單晶硅電阻率控制原理。
可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間？
許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。
石墨烯（Graphene）是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料。
2023-11-29 標(biāo)簽：激光器碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3006 0
電力電子器件基礎(chǔ)知識(shí)概述—電力二極管、晶閘管
在電力電子技術(shù)應(yīng)用上，要有系統(tǒng)觀念。一個(gè)電力電子系統(tǒng)，由主電路、驅(qū)動(dòng)電路、控制電路等組成。
穩(wěn)壓二極管的工作原理 穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)
穩(wěn)壓二極管（也稱為齊納二極管）是一種特殊類型的半導(dǎo)體二極管，它能夠維持穩(wěn)定的電壓，即使在電流或溫度發(fā)生變化的情況下。穩(wěn)壓二極管的工作原理基于其獨(dú)特的反向...
2024-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管載流子 2800 0
半導(dǎo)體有關(guān)概念 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性
半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運(yùn)載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。
IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價(jià)帶中是一個(gè)統(tǒng)計(jì)概率，這個(gè)概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。
可見光驅(qū)動(dòng)光催化產(chǎn)氫方面取得重要進(jìn)展！
利用太陽(yáng)能將水轉(zhuǎn)化為高價(jià)值的化學(xué)品和燃料是一種很有前景和潛力的策略。石墨相氮化碳和二氧化鈦是性能優(yōu)良、成本低、穩(wěn)定性好的光催化劑。
雪崩二極管，也稱為碰撞雪崩渡越時(shí)間二極管（IMPATT），是一種在微波頻率下使用的二極管，其工作原理基于載流子在高電場(chǎng)中的雪崩倍增效應(yīng)。
IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對(duì)于微電子技術(shù)猿來(lái)說(shuō)，想必已經(jīng)耳熟能詳。
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