半導體中載流子的運動

半導體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的擴散運動等等。它們都對半導體的導電性造成不同的影響，...

2025-06-23 標簽：電流功率半導體載流子 506 0

質子調控醌烯醇轉化助力高性能水系鋅電池

羰基氧化還原化學中C=O與C-O-之間的非均相烯醇化反應是廣泛存在于自然界的重要生理過程。該研究揭示了基于有機羰基的水系有機電極材料的廣泛應用，其中通過...

2024-05-23 標簽：鋅電池電解液載流子 784 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。

2024-05-19 標簽：半導體SiC碳化硅 1395 0

如何使用雙條結構改進窄脊高功率激光二極管遠場角呢？

在激光器芯片的設計和應用中，遠場角度是一個重要的參數(shù)。它描述了激光器發(fā)出的光束在遠離芯片后，其發(fā)散程度。

2024-05-01 標簽：CCD濾波器激光器 971 0

單晶硅的少子壽命是指什么？表面形態(tài)對單晶硅少子壽命有何影響？

單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過復合過程失去）的平均時間。

2024-04-19 標簽：半導體單晶硅載流子 4655 0

異質外延對襯底的要求是什么？

異質外延是一種先進的晶體生長技術，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結構或化學組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生...

2024-04-17 標簽：載流子 1196 0

單晶硅電阻率的控制原理介紹

本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關系、共摻雜技術等知識，解釋了單晶硅電阻率控制原理。

2024-04-07 標簽：半導體單晶硅載流子 3078 0

Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加...

2024-04-02 標簽：MOSFET電壓控制體二極管 2145 0

高效介孔鈣鈦礦太陽能電池的電子注入和缺陷鈍化！

大多數(shù)鈣鈦礦太陽能電池(PSC)均采用分層結構，其中包括空穴傳輸層(HTL)和貴金屬電極?？捎∷⒔橛^鈣鈦礦太陽能電池(p-MPSC)不需要傳統(tǒng)p-n結所...

2024-03-20 標簽：太陽能電池光電器件電流電壓 1251 0

可充電電池中的高熵電解質設計

可充電電池領域在高效和可持續(xù)能源技術需求的增加的推動下，已經(jīng)取得了顯著的進步。

2024-03-15 標簽：鋰離子電池電解質可充電電池 6978 0

可靠性測試中,如何減少HCI和電遷移的測試時間？

許多可靠性“磨損”測試監(jiān)測的是一個性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對數(shù)變化的時間長度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標簽：DRAMNMOS晶體管 3073 0