SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(
發(fā)表于 07-10 11:37
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SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK
發(fā)表于 06-18 15:31
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電子發(fā)燒友網綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的
發(fā)表于 05-23 01:04
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于 2020 年末對外公布,第一階段完成于 2021 年 12 月 30 日,SK 海力士當時支付了約合 66.1 億美元的 78422 億韓元,從英特爾接管 SSD 業(yè)務及其位于中國大連 N
發(fā)表于 03-28 19:27
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據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業(yè)內消息透露,自去年年底以來,三星電子和
發(fā)表于 02-12 10:38
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產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年
發(fā)表于 01-20 14:43
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在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出,標志著
發(fā)表于 11-13 14:35
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近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了
發(fā)表于 11-05 15:01
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SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著
發(fā)表于 08-29 16:39
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在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
發(fā)表于 08-10 16:52
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全球領先的半導體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設計的顯
發(fā)表于 08-07 11:20
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韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
發(fā)表于 08-02 16:56
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近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程,并且已經設定了明確的發(fā)展時間表——計劃在20
發(fā)表于 08-01 15:26
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據最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為
發(fā)表于 07-30 17:35
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據韓國經濟日報和科技媒體Blocks&Files的最新報道,全球半導體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。這
發(fā)表于 07-29 15:40
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