Cu雜質(zhì)對Si(110)濕法蝕刻的影響

我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...

2022-03-10 標(biāo)簽：算法蝕刻原理 514 0

半導(dǎo)體器件制造中的蝕刻技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創(chuàng)建過...

2022-03-10 標(biāo)簽：晶圓蝕刻器件 5280 0

各向同性和各向異性工藝如何用于改善硅濕蝕刻

通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異...

2022-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3177 0

250℃電子束沉積ITO和HCl濕法蝕刻的方法說明

目的： 客戶希望我們用電子束蒸發(fā)器在較高的溫度下沉積ITO薄膜，并且薄膜電阻更小時薄膜厚度為100 nm時，薄膜厚度大于100 W/square。 樣品...

2022-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1245 0

KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...

2022-03-09 標(biāo)簽：晶體材料蝕刻 680 0

使用酸性溶液對硅晶片進(jìn)行異常各向異性蝕刻

在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...

2022-03-09 標(biāo)簽：實驗蝕刻晶片 877 0

硅晶片的酸刻蝕實驗分析

已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動力學(xué)阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，...

2022-03-08 標(biāo)簽：電阻數(shù)據(jù)蝕刻 1138 0

HF溶液中二氧化硅刻蝕機(jī)理實驗

在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過電場的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場...

2022-03-07 標(biāo)簽：電位器實驗蝕刻 2307 0

HF、HNO3和H2O體系中硅的化學(xué)刻蝕實驗

本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動力學(xué)作為蝕刻劑組成的函數(shù)。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區(qū)域，蝕刻...

2022-03-07 標(biāo)簽：蝕刻測量函數(shù) 3801 0

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異...

2022-03-07 標(biāo)簽：集成電路封裝蝕刻 740 0

硅堿性蝕刻中的絕對蝕刻速率

在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0....

2022-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1540 0

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效...

2022-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1744 0

濕法蝕刻工藝的作用：可有效去除金屬氧化物

摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明，近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實驗和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...

2022-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2201 0

用蝕刻法對金屬陶瓷薄膜進(jìn)行電阻修整

二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對這些薄膜進(jìn)行濺射蝕刻。 可以看出，當(dāng)從鉭面積比超過50%的靶濺射時，鉭-二氧化硅金屬...

2022-02-25 標(biāo)簽：電阻裝置蝕刻 681 0

HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對硅表面質(zhì)量的影響

引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕...

2022-02-24 標(biāo)簽：蝕刻硅材料 3704 0

濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)裝置

摘要 公開了一種用于濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)，其可用于化學(xué)處理，例如蝕刻或清洗半導(dǎo)體襯底。該設(shè)備具有處理室，在該處理室中濕法處理襯底。處理液通過開口和噴...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1198 0

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)

摘要 高效指間背接觸太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況...

2022-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1073 0

III族氮化物的干法和濕法蝕刻

第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這...

2022-02-23 標(biāo)簽：發(fā)射器氮化鎵蝕刻 3008 0

SC1/SC2蝕刻后Si表面的分析

本文首次提出了由標(biāo)準(zhǔn)SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據(jù)。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過NH3:H2O2:H2O混合物...

2022-02-23 標(biāo)簽：機(jī)械晶體蝕刻 9931 0