HARSE工藝在先進封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用

在本文中講述了HARSE的工藝條件，其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓，還將成為展示先進封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。

2022-05-09 標簽：封裝技術(shù)蝕刻硅襯底 847 0

一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型

在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)...

2022-05-09 標簽：工藝蝕刻模型 603 0

多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過程

ZnO是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可摻雜為透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，用于無機和有機光伏器件，為了更好地理解ZnO薄膜的腐蝕過程，我們?nèi)A林科納發(fā)現(xiàn)了一種原子力顯微...

2022-05-09 標簽：半導(dǎo)體蝕刻ZnO 853 0

BOE濕蝕對三維集成中銅模式直接鍵界面特性的影響

在本文中，使用緩沖氧化物蝕刻(BOE)溶液進行濕法蝕刻以直接鍵合Cu-Cu圖案之后，根據(jù)Cu圖案密度變量在400℃的結(jié)溫下進行Cu-Cu鍵合，具有良好的...

2022-05-05 標簽：工藝蝕刻硅晶片 1059 0

TMAH溶液進行化學(xué)蝕刻后晶體平面的表征研究

本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-G...

2022-05-05 標簽：半導(dǎo)體蝕刻 2247 0

硅晶片的化學(xué)蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的...

2022-04-28 標簽：工藝蝕刻硅晶片 1153 0

2022-04-27 標簽：半導(dǎo)體蝕刻 1204 0

方差分析在等離子蝕刻工序中的應(yīng)用

在集成電路的許多生產(chǎn)步驟中，晶片被一層材料(如二氧化硅或某種金屬)完全覆蓋。通過對掩模的蝕刻有選擇性地除去不需要的材料，從而創(chuàng)建電路模板、電互連以及必須...

2022-04-25 標簽：集成電路蝕刻 456 0

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕...

2022-04-12 標簽：晶圓蝕刻 632 0

半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后的感光膜去除方法

通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用...

2022-04-11 標簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1301 0

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-07 標簽：工藝特性蝕刻 752 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 ...

2022-04-07 標簽：工藝蝕刻硅片 1144 0

含有機HF清洗液中銅薄膜的腐蝕行為

隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，多層處理變得越來越復(fù)雜，清洗溶液和蝕刻化學(xué)物質(zhì)在提高收率和減少缺陷方面的作用變得越來越重要。本文證明了具有銅和鎢相容性的成功配方，...

2022-04-06 標簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1485 0

一種制備PS層的超聲增強化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-06 標簽：超聲波蝕刻 684 0

蝕刻技術(shù)基礎(chǔ)知識介紹

關(guān)于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應(yīng)機制，以Si為例，以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加...

2022-04-06 標簽：工藝蝕刻加工 5718 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-06 標簽：工藝蝕刻滲透 982 0

濕蝕刻在硅片晶薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外，垂直系統(tǒng)集...

2022-04-01 標簽：工藝蝕刻晶片 509 0

晶硅晶片表面組織工藝優(yōu)化研究

本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太...

2022-03-25 標簽：工藝蝕刻晶片 857 0

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片...

2022-03-25 標簽：裝置蝕刻硅片 3949 0