一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1467 0

利用原子力顯微鏡測(cè)量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。...

2022-04-22 標(biāo)簽：蝕刻測(cè)量顯微鏡 1745 0

詳解微機(jī)械中的各向異性刻蝕技術(shù)

單晶硅， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，還...

2022-04-22 標(biāo)簽：晶圓蝕刻微機(jī)械 4007 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透研究

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-22 標(biāo)簽：蝕刻晶片光致抗蝕劑 939 0

詳解微加工過程中的蝕刻技術(shù)

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過...

2022-04-20 標(biāo)簽：工藝蝕刻加工 3026 0

單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-04-18 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅片 749 0

臭氧輔助硅蝕刻技術(shù)的研究

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臭氧蝕刻 528 0

硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...

2022-04-15 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1258 0

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝超聲波蝕刻 613 0

半導(dǎo)體清洗液中溶解氫氣對(duì)晶圓清洗的影響

在最近的半導(dǎo)體清潔方面，以生物堿為基礎(chǔ)的RCA清潔法包括大量的超純和化學(xué)液消耗量以及清潔時(shí)多余薄膜的損失； 由于環(huán)境問題，對(duì)新的新精液和清潔方法的研究正...

2022-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻清洗 792 0

噴霧特性與蝕刻特性的相互關(guān)系

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-14 標(biāo)簽：特性蝕刻噴霧 758 0

一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標(biāo)簽：工藝氮化鎵蝕刻 1634 0

第一原理化學(xué)反應(yīng)流模型的開發(fā)和應(yīng)用

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻模型 577 0

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻清洗硅晶片 1253 0

硅晶圓蝕刻過程中的化學(xué)反應(yīng)研究

硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層...

2022-04-12 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻 1342 0

硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用

本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一...

2022-04-11 標(biāo)簽：晶硅蝕刻氧化物 1618 0

操作參數(shù)對(duì)蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1358 0

不同蝕刻時(shí)間對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響

硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻多孔硅 773 0

一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1269 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

2022-03-31 標(biāo)簽：傳感器蝕刻GaAs 1167 0