半導體工藝技術：器件的制造步驟

電信號處理工業(yè)始于上個世紀初的真空管，真空管使得收音機、電視機和其他電子產品成為可能。它也是世界上第一臺計算機的大腦。

2024-04-28 標簽：集成電路晶體管芯片制造 717 0

半導體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標簽：芯片制造硅片晶圓制造 2033 0

淺談刻蝕的終點控制

當?shù)入x子體轉變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 1285 0

實現(xiàn)異構集成與小芯片優(yōu)勢的關鍵“互連”

在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術總監(jiān)Larry Zhao所詳細...

2024-04-07 標簽：微控制器pcbsoc 970 0

半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 4887 0

芯片的常見功耗問題盤點

Cadence產品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問題將更加嚴重，因為你...

2024-03-25 標簽：傳感器芯片cpu 1864 0

半導體晶圓直徑與厚度之間的關系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響...

2024-03-25 標簽：晶圓芯片制造半導體晶圓 2936 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片NAND晶圓 1849 0

光刻機的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機經歷了5代產品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標簽：芯片集成電路芯片制造 8313 0

芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標簽：集成電路晶圓芯片制造 4328 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復制電路圖案的過程。

2024-03-18 標簽：集成電路芯片制造光刻 3206 0

揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。

2024-03-13 標簽：集成電路芯片制造MOS 4739 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術稱為直拉法（Czochralski）。半導體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標簽：集成電路多晶硅晶體 5129 0

芯片內部有多小呢？芯片內部為什么能這么?。?/a>

2024-03-12 標簽：晶圓晶體管芯片制造 935 0

刻蝕機是干什么用的 刻蝕機和光刻機的區(qū)別

刻蝕機的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標簽：芯片制造光刻光刻機 1.4萬 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來說SiO2是作為大部分器件結構中的絕緣體 或 在器件制作過程中作為擴散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標簽：集成電路芯片制造光刻技術 5779 0