半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測(cè)量方法

熱波系統(tǒng)通過(guò)激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實(shí)現(xiàn)摻雜濃度評(píng)估。其核心機(jī)制為：氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于晶圓表面，通過(guò)光熱效應(yīng)產(chǎn)生周期性熱波，導(dǎo)致局部晶格缺...

2025-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造 189 0

芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)

當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下，源漏極間可能形成隱秘的電流通道，導(dǎo)致晶體管無(wú)法關(guān)閉。而暈環(huán)注入（Halo Implant） 技術(shù)，正是工程師們?cè)O(shè)計(jì)的原子級(jí)...

2025-07-03 標(biāo)簽：晶體管芯片制造PN結(jié) 244 0

逆向阱技術(shù)的精密構(gòu)建

在芯片的硅基世界中，硼離子注入（Boron Implant） 如同納米級(jí)的外科手術(shù)——通過(guò)精準(zhǔn)控制高能硼原子打入晶圓特定區(qū)域，構(gòu)建出晶體管性能的“地基”...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管納米芯片制造 205 0

芯片制造中解耦等離子體氮化工藝流程

在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個(gè)原子層）。此時(shí)，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可...

2025-06-12 標(biāo)簽：等離子體工藝晶體管 458 0

半導(dǎo)體制造中的高溫氧化工藝介紹

ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在...

2025-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝芯片制造 501 0

劃片機(jī)在存儲(chǔ)芯片制造中的應(yīng)用

劃片機(jī)（DicingSaw）在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片（Die），這一過(guò)程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片制造劃片機(jī)博捷芯 221 0

芯片制造中的化學(xué)鍍技術(shù)研究進(jìn)展

芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片導(dǎo)電互連。

2025-06-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 1246 0

半導(dǎo)體晶圓制造潔凈廠房的微振控制方案

微振控制在現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472中有關(guān)微振控制的規(guī)定主要有：潔凈廠房的微振控制設(shè)施的設(shè)計(jì)分階段進(jìn)行，應(yīng)包括設(shè)計(jì)、施工和投...

2025-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造 156 0

自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與步驟

在芯片制造中，光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級(jí)的電路圖案。然而，當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下，傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時(shí)， 自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化（SADP） 的...

2025-05-28 標(biāo)簽：芯片制造光刻技術(shù) 284 0

氧化層制備在芯片制造中的重要作用

本文簡(jiǎn)單介紹了氧化層制備在芯片制造中的重要作用。

2025-05-27 標(biāo)簽：芯片制造氧化層 521 0

晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

在芯片制造的納米世界里，閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”——微小偏差即可導(dǎo)致系統(tǒng)性崩潰。作為晶圓接受測(cè)試(W...

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 348 0

芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

本文介紹了先進(jìn)集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。

2025-05-21 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 409 0

芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹

但當(dāng)芯片做到22納米時(shí)，工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫(huà)接觸孔時(shí)，稍有一點(diǎn)偏差就會(huì)導(dǎo)致芯片報(bào)廢。 自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)（SAC） ，完美解決了這個(gè)難題。

2025-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 319 0

為什么芯片制造常用P型硅

從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？

2025-05-16 標(biāo)簽：集成電路芯片制造 279 0

芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)十億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。隨著制程進(jìn)入納米級(jí)，一個(gè)看似微小的細(xì)節(jié)——連接晶體管與金屬線的"接觸孔&...

2025-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 241 0

光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了...

2025-04-29 標(biāo)簽：芯片制造光刻膠光刻工藝 1928 0

氮化硅在芯片制造中的核心作用

在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開(kāi)它的參與。從其構(gòu)成來(lái)看，氮化硅屬于無(wú)機(jī)化合物，由硅元...

2025-04-22 標(biāo)簽：材料芯片制造氮化硅 829 0

芯片制造中的抗反射涂層介紹

本文介紹了用抗反射涂層來(lái)保證光刻精度的原理。

2025-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造光刻工藝 636 0

芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。

2025-04-15 標(biāo)簽：NMOS晶體管芯片制造 721 0

芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參...

2025-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造半導(dǎo)體材料 429 0