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脈沖電流

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脈沖電流技術(shù)

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TPSM82480 具有 PG、MODE 和 VSEL 選項(xiàng)的 6A、5.5V 輸入降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-04-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器接口 307 0

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TPS4005x 是高電壓、寬輸入(8V 至 40V)同步降壓控制器系列。TPS4005x 系列具有各種用戶可編程功能,包括軟啟動(dòng)、UVLO、工作頻率、...

2025-04-03 標(biāo)簽:可編程降壓控制器高側(cè)電流 426 0

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2025-03-08 標(biāo)簽:二極管抑制器鉗位電壓 753 0

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高頻諧振功率放大器通常工作在 丙類 狀態(tài)。這種工作狀態(tài)下的晶體管在輸入信號(hào)的周期內(nèi)只有部分時(shí)間導(dǎo)通,形成余弦脈沖電流,這種非線性的工作方式使得諧振功率放...

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電氣規(guī)范絕緣電阻的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)是多少

電氣規(guī)范絕緣電阻的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)是電氣工程中非常重要的一環(huán),它直接關(guān)系到電氣設(shè)備的安全運(yùn)行和使用壽命。本文將從以下幾個(gè)方面介紹絕緣電阻的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn): 絕緣電阻的...

2024-08-16 標(biāo)簽:電氣設(shè)備絕緣材料絕緣電阻 1.0萬(wàn) 0

脈沖電流是交流電嗎?脈沖電壓怎么測(cè)量?

脈沖電流是一種非正弦波形的電流,它在短時(shí)間內(nèi)迅速上升至一個(gè)峰值,然后迅速下降至零或另一個(gè)較低的電流水平。

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分立器件產(chǎn)品在頸部按摩儀產(chǎn)品上的應(yīng)用案例分享

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當(dāng)我們?cè)诠ぷ骼哿说臅r(shí)候,這時(shí)候如果有個(gè)頸部按摩儀產(chǎn)品給您的頸部按摩,您的疲憊會(huì)很快消失。

2024-05-17 標(biāo)簽:二極管單片機(jī)整流電路 893 0

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淺談PCB設(shè)計(jì)中鋪銅的必要性

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2024-04-11 標(biāo)簽:pcb散熱片鋪銅 3163 0

如何看懂MOSFET數(shù)據(jù)表常見(jiàn)的數(shù)據(jù)

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Qrr 甚至可以對(duì)測(cè)試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強(qiáng)的依賴關(guān)系。而進(jìn)一步使事情復(fù)雜化的原因在于,某些廠商未將QOSS 作為一個(gè)單獨(dú)參數(shù)包含在...

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依據(jù)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)分析:2019年全球5G基站電源市場(chǎng)規(guī)模約為13億美元,預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到40億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率約為20%。

2024-03-04 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管RDS脈沖電流 1419 0

如何定義MOSFET數(shù)據(jù)表

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作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師,在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值之外,我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。

2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET電感器函數(shù) 571 0

脈沖電源基礎(chǔ)知識(shí)概述

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脈沖電鍍是一種先進(jìn)的電鍍技術(shù),它在傳統(tǒng)直流電鍍的基礎(chǔ)上,利用脈沖電流代替連續(xù)電流,從而在鍍層質(zhì)量、鍍層厚度控制以及節(jié)能降耗等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

2024-02-05 標(biāo)簽:脈沖電源電解液脈沖電流 2488 0

求一種基于simulink的電池(儲(chǔ)能)模型仿真方案

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隨著新能源發(fā)電及電動(dòng)汽車(chē)等的快速發(fā)展,儲(chǔ)能的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。在進(jìn)行仿真建模時(shí),如何搭建一個(gè)準(zhǔn)確的電池單體模型變得十分重要。

2024-01-22 標(biāo)簽:等效電路Simulink儲(chǔ)能 5.2萬(wàn) 0

基于電阻平衡的大功率鋰離子電池與超級(jí)電容器的直接混合充電優(yōu)化

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本研究旨在填補(bǔ)電池與超級(jí)電容器直接并聯(lián)充電的研究空白。兩者之間的簡(jiǎn)單并聯(lián)將產(chǎn)生不成比例的電流分布,并限制有效的容量利用率。

2023-12-06 標(biāo)簽:鋰離子電池超級(jí)電容器等效電路 3.3萬(wàn) 0

功率MOSFET安全工作區(qū)SOA曲線概念分析

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現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢(shì)是向著更高開(kāi)關(guān)頻率和更低導(dǎo)通電阻發(fā)展,因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs

2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET電池充電器SOA 9110 0

1kA脈沖電流發(fā)生器測(cè)控電路的設(shè)計(jì)案例

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脈沖電流是很快的一次性暫態(tài)量,而且電流幅值較大,當(dāng)采集測(cè)試時(shí),對(duì)測(cè)試設(shè)備元器件要求較高。

2023-12-01 標(biāo)簽:發(fā)生器IGBT單片機(jī)控制 2321 0

一文了解IGBT的極限值

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在文件數(shù)據(jù)表中,按照IGBT 模塊(IGBT,二極管,殼體,溫度傳感器等)的各個(gè)組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標(biāo)簽:二極管晶體管擊穿電壓 2711 0

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