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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 457 0
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 402 0
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 464 0
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 405 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 447 0
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 475 0
SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 416 0
SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)...
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS...
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反...
在電力電子和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,快恢復(fù)二極管和肖特基二極管是兩類高頻應(yīng)用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開(kāi)關(guān)場(chǎng)景,但其工作原理、性能特點(diǎn)及適用場(chǎng)景存在顯著...
2025-02-24 標(biāo)簽:肖特基二極管快恢復(fù)二極管SBD 924 0
新能源汽車(chē)(EVs)正快速成為全球交通工具的主流之一。在新能源汽車(chē)的動(dòng)力系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、充電系統(tǒng)等多個(gè)核心環(huán)節(jié)中,二極管作為一種基本的半導(dǎo)體器件,發(fā)...
2025-02-11 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)整流二極管TVS二極管 1104 0
如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中,過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌...
肖特基二極管和電源變壓器是電力電子系統(tǒng)中兩個(gè)重要的元件,它們雖然在功能和工作原理上有所不同,但在一些應(yīng)用中具有緊密的關(guān)聯(lián)。我們來(lái)探討肖特基二極管與電源變...
肖特基二極管(SchottkyDiode)由于其低正向電壓降、快速開(kāi)關(guān)速度和較低的反向恢復(fù)時(shí)間,在高頻電路和高效電源系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。然而,肖特基二...
肖特基二極管和整流橋是兩種常見(jiàn)的器件,盡管它們?cè)陔娐分锌赡軙?huì)共存,但由于各自的特性和應(yīng)用場(chǎng)景不同,經(jīng)常需要對(duì)它們進(jìn)行區(qū)分以正確選擇和使用。一、基本結(jié)構(gòu)肖...
肖特基二極管和瞬態(tài)抑制二極管(TVSDiode)是兩種非常重要但用途截然不同的二極管。由于它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用場(chǎng)景上的差異顯著,清楚地理解兩者的特點(diǎn)和...
二極管是不可或缺的元件,其中肖特基二極管(SchottkyDiode)和穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)因其特殊功能在不同場(chǎng)景下被廣泛應(yīng)用。盡管它們?cè)?..
2024-11-22 標(biāo)簽:整流器穩(wěn)壓二極管肖特基二極管 2095 0
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