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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用前景
碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,其能使系統(tǒng)效率更高,質(zhì)量更輕,結(jié)構(gòu)更緊湊。如今,碳化硅技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)助...
介紹一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)
肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒(méi)有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來(lái)的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。
一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān)
同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
瑞能硅基功率二極管產(chǎn)品系列及其應(yīng)用介紹
整流橋在電力電子拓?fù)渲械膽?yīng)用中,具備的特點(diǎn)包括:較低的導(dǎo)通壓降VF;反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng);較強(qiáng)的浪涌能力。
基于光電管并聯(lián)檢測(cè)車模通過(guò)測(cè)試方案
根據(jù)昨天實(shí)驗(yàn)結(jié)果,每個(gè)檢測(cè)模塊電路都是相同的。具有一進(jìn)一出兩個(gè)三芯接口。輸入的正向脈沖通過(guò) 肖特基二極管 D2 整流之后,儲(chǔ)能在 C10 電容上。這個(gè)電...
蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 712 0
肖特基二極管和電源變壓器是電力電子系統(tǒng)中兩個(gè)重要的元件,它們雖然在功能和工作原理上有所不同,但在一些應(yīng)用中具有緊密的關(guān)聯(lián)。我們來(lái)探討肖特基二極管與電源變...
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 690 0
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開(kāi)關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電...
在新能源汽車市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
盡管距離肖特基二極管初次面世已經(jīng)過(guò)去幾十年的時(shí)間了,但是新的技術(shù)發(fā)展與產(chǎn)品更新仍舊不斷的增強(qiáng)著它的特性,擴(kuò)展了它的應(yīng)用可能性?,F(xiàn)在的筆記本電腦,智能手機(jī)...
在新能源汽車市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
PCB布局挑戰(zhàn)——改進(jìn)您的開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)
深入研究該項(xiàng)目,我們將檢查L(zhǎng)M22678 5A 轉(zhuǎn)換器(圖 2)的 PCB 布局,其中V輸入為 12 V(未顯示),V輸出為 5 V。這是一個(gè)非同步降壓...
2023-06-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器肖特基二極管PCB 631 0
在升壓電源模塊中,會(huì)用到肖特基二極管,但常規(guī)硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實(shí)現(xiàn)更高的380V電壓,硅二極管就不是很合適了。
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 575 0
關(guān)于模擬電路的40個(gè)實(shí)用小常識(shí)
穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管,由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn),適用反向擊穿的工作狀態(tài),只要限制電流的大小,這種擊穿是非破壞性的。
2023-01-09 標(biāo)簽:pcb模擬電路穩(wěn)壓二極管 543 1
結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管制造及設(shè)計(jì)
結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管制造及設(shè)計(jì)詳解
2022-12-26 標(biāo)簽:肖特基二極管 520 1
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 518 0
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