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全球最大的先進半導體解決方案供應商之一——美國美光科技公司在中國投資2.5億美元建立的第一個制造工廠,2007年3月21日在西安高新區(qū)落成,該廠是外商獨資企業(yè),是目前陜西省最大的外商投資企業(yè)之一。該廠將主要進行美光科技半導體產(chǎn)品的測試和封裝。
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美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺幣150億元)入股爾必達(Elpida),最快2月定案,成為此波DRAM市況不振下,首樁業(yè)界整合案例。美...
美光提出3D內(nèi)存封裝標準“3DS”或成DDR4基石
美光科技今天表示,正在與標準化組織JEDEC合作,爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。
美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標準或成DDR4技術
美光科技今天表示,正在與標準化組織JEDEC合作,爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。
近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
Rambus此前對美光和海力士提起反壟斷訴訟,索賠40億美元。在周三法庭做出判決后,Rambus股價一度大跌80%,至每股4美元,而收盤時跌幅為61%,...
三星與美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術
三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術過渡,此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。 三星和美...
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領先的50納米(nil])制程技術的NAND閃存,這兌現(xiàn)了它們對快...
英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播...
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公...
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