SCD關于InAsSb nBn中波高溫器件和InAs/GaSb二類超晶格pBp長波器件的研發(fā)歷程

SCD的優(yōu)勢及主流產品主要是III-V族紅外探測器。20世紀90年代開始，SCD的研發(fā)重心就放在InSb上，早期主要研究離子注入型平面結工藝，工藝成熟后...

2019-02-25 標簽：紅外探測器器件SCD 1.5萬 0

分享關于紅外熱成像知識的原理及應用

非均勻性校正是指有效降低探測器的響應率不均勻性，提高熱像儀成像質量的一種技術手段。經過非均勻性校正的熱像儀成像畫面均勻，鬼影和壞點現(xiàn)象消失，成像效果得到...

2019-08-26 標簽：分辨率紅外探測器紅外熱成像 1.4萬 0

焦平面紅外探測器應用現(xiàn)狀

在精確制導領域，主流制導方式有紅外制導和雷達制導，這兩種方式各有優(yōu)勢，在某些特定的場合，紅外制導更是顯示出其不可替代性。與雷達制導的主動探測相比，紅外探...

2019-03-18 標簽：探測器數(shù)據(jù)采集紅外探測器 1.4萬 0

何謂第三代紅外探測器技術？發(fā)展趨勢如何？

量子阱紅外探測器的名稱來源于其構成材料在能帶結構上構成電子或空穴勢阱，外來光子引起的電子或空穴躍遷屬于子帶間躍遷，在外加電場的作用下光生載流子被收集形成...

2019-04-15 標簽：半導體材料紅外探測器晶格 8662 0

光學讀出紅外探測器的兩種制造方法

本發(fā)明提供了一種改進的光學讀出紅外探測器結構及其制作方法。探測器結構包括：玻璃襯底和通過第二錨懸空于玻璃襯底上的懸浮結構；懸浮結構包括可見光反射層、紅外...

2017-09-25 標簽：紅外探測器 6836 0

基于三代紅外探測器的一種新型材料：硒鎘汞

早在20多年前，就有過HgCdSe材料研究的相關報道，但受襯底制備、材料外延技術等所限，結果并不理想。近年來隨著Type-II的發(fā)展，GaSb單晶生長和...

2019-04-28 標簽：晶體半導體材料紅外探測器 6475 0

中長波紅外探測器的特點及發(fā)展現(xiàn)狀

中波、長波紅外探測大氣穿透力強、識別偽裝目標的能力優(yōu)越，是制約未來天基對地觀測、天文探測能力的關鍵技術，其對低溫、遙遠、弱目標和低對比度目標的探測性能決...

2024-01-19 標簽：傳感器紅外探測器探測系統(tǒng) 4853 0

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測器

本文實現(xiàn)了一種正面開口的熱電堆結構，采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對于刻蝕硅，XeF2氣體對鋁等材料的刻蝕速率極小，這樣就可以采用標準...

2012-05-02 標簽：紅外探測器CMOS工藝熱電堆 4143 0

激光測溫法概述

為了確定溫度，用一個光束（通常是激光）照射待測物，測量一個或多個參數(shù)：固定波長的反射和或透射系數(shù)、反射和或透射光譜、反射光的偏振態(tài)等等。

2024-01-14 標簽：激光紅外探測器激光測溫 3842 0

紅外探測器電路圖解說明

該紅外探測器可用于檢測其附近是否存在來自任何電子源的調制紅外信號，例如紅外手持遙控器。它還可用于測試紅外防盜報警系統(tǒng)。這不是紅外運動探測器！

2023-07-24 標簽：紅外探測器探測電路 3722 0