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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析,產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu),才能實(shí)現(xiàn)從“低端...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達(dá)與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司,雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場推廣方面展開...
從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌
近期,多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問題,嚴(yán)重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代進(jìn)程,從...
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 363 0
三安意法重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線 將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)
2月27日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),這將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)...
三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線
三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元...
2025-02-27 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅三安光電 1049 0
隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢,使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
2025年碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...
碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的...
隨著全球能源需求的快速增長和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料...
天岳先進(jìn)2024年大逆襲!凈賺1.8億元,碳化硅需求爆發(fā)
(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道)近期,專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的天岳先進(jìn)公布了公司2024年年報(bào)。報(bào)告期內(nèi),天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入17.68元,同...
2025-02-25 標(biāo)簽:碳化硅 997 0
在新能源汽車行業(yè),800V高壓平臺(tái)正在成為下一代純電技術(shù)的核心戰(zhàn)場。而決定這場戰(zhàn)役勝負(fù)的關(guān)鍵之一,藏在約一粒綠豆大小的碳化硅(SiC)芯片里。
國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果
碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來...
晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨
? 【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月21日,晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下,下游客戶逐步規(guī)劃實(shí)施擴(kuò)產(chǎn),公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市...
2025-02-22 1156 0
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器概述
STGAP3S系列具備快速去飽和保護(hù)和靈活的米勒鉗位功能,專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款柵極驅(qū)動(dòng)器具有高CMTI,能夠滿足現(xiàn)今對(duì)電流能力和保護(hù)功能的最新要...
2025-02-21 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 630 0
環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定
近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025...
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組公布氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域多項(xiàng)最新研究成果
? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉: 香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組 ,在第70屆國際電子器件大會(huì)(IEEE International Electro...
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)2...
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