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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

一文讀懂碳化硅設(shè)計中的熱管理

隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動系統(tǒng)...

2023-10-22 標(biāo)簽：逆變器 SiC 熱管理 573 0

10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)...

2022-04-11 標(biāo)簽：碳化硅 570 0

英飛凌推出全新400V CoolSiC MOSFET系列

隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展，為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng)，成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。

2025-02-06 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 碳化硅 564 0

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器...

2025-04-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 564 0

11.3.2 直流電動機(jī)驅(qū)動∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

11.3.2直流電動機(jī)驅(qū)動11.3電動機(jī)驅(qū)動的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：...

2022-04-20 標(biāo)簽：碳化硅 561 0

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析，產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu)，才能實(shí)現(xiàn)從“低端...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 560 0

10.1.3 溝槽邊緣終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.3溝槽邊緣終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線...

2022-04-07 標(biāo)簽：碳化硅 559 0

安意法合資工廠通線啟示：國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

近日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線，預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng)，結(jié)合過去...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體碳化硅 559 0

電動汽車用碳化硅模塊

與類似的硅器件相比，碳化硅技術(shù)提供了卓越的開關(guān)和改進(jìn)的熱性能。這轉(zhuǎn)化為更高的效率、更高的功率密度、更好的電磁干擾（EMI）以及減小的系統(tǒng)尺寸和重量。

2022-08-05 標(biāo)簽：電動汽車充電器碳化硅 556 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板

新品采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器評估板碳化硅 556 0

國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察：國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析近年來，碳化硅（SiC）功率器件市場雖高速增長，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來...

2025-02-24 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 555 0

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長晶爐順利通過客戶驗(yàn)證

近日，晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長晶爐順利通過客戶驗(yàn)證，設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠技術(shù)創(chuàng)新，引...

2025-01-09 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 555 0

電動汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

今天開關(guān)的選擇多種多樣：IGBT 因其低傳導(dǎo)損耗而在非常高的功率下受到青睞，而 MOSFET 在中低功率下占主導(dǎo)地位，其快速開關(guān)可最大限度地減少相關(guān)組件...

2022-11-03 標(biāo)簽：電動汽車 IGBT 碳化硅 551 0

SiC 清洗機(jī)分類有哪些

SIC材料一定是近期的熱門焦點(diǎn)內(nèi)容，對此我們也知道采購與需要SiC 清洗機(jī)的迫切要求。那么盡然如此，在采購之前，大家都得做做功課。大家知道，SiC 清洗...

2024-11-11 標(biāo)簽：SiC 清洗機(jī)碳化硅 550 0

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點(diǎn)介紹碳...

2025-01-07 標(biāo)簽：安森美 SiC 碳化硅 550 0

為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案

BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...

2025-02-06 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 549 0

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺

全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8...

2024-10-17 標(biāo)簽：ASM 碳化硅 548 0

Diodes推出工業(yè)級碳化硅DMWS120H100SM4 N

Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。

2023-04-13 標(biāo)簽：MOSFET 電池充電器 Diodes 545 0

９.３.４　dv/dt觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGA...

2022-03-29 標(biāo)簽：碳化硅 545 0

青銅劍技術(shù)亮相第九屆電氣化交通前沿技術(shù)論壇

此前，5月22-24日，第九屆電氣化交通前沿技術(shù)論壇在秦皇島成功舉辦。青銅劍技術(shù)攜功率器件驅(qū)動整體解決方案精彩亮相，全面展示了公司在驅(qū)動領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢與...

2025-05-28 標(biāo)簽：功率器件碳化硅青銅劍科技 544 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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