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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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簡(jiǎn)述污泥固含量測(cè)定測(cè)試原理和參數(shù)
廈門搏仕檢測(cè)設(shè)備有限公司 ?www.lboshi.cn 18959266236 密度計(jì)品牌:搏仕??????????? 型號(hào):BOS-300A?????...
2021-10-15 標(biāo)簽:測(cè)試測(cè)量碳化硅 620 0
功率器件的材料演進(jìn)之路 氧化鎵商業(yè)化愈發(fā)臨近
如今,我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
2023-08-09 標(biāo)簽:探測(cè)器功率半導(dǎo)體碳化硅 619 0
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...
2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 617 0
國內(nèi)企業(yè)率先在半絕緣襯底方面取得了非常快的進(jìn)展。而在導(dǎo)電型襯底方面,2021-2022年國內(nèi)各個(gè)襯底廠商的外部的應(yīng)用需求迅速增長,同時(shí)在各項(xiàng)指標(biāo)上已經(jīng)得...
揭秘全球首創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體的誕生過程
當(dāng)?shù)潞諣柡退膱F(tuán)隊(duì)弄清楚如何使用特殊熔爐在碳化硅晶圓上生長石墨烯時(shí),他取得了突破。他們生產(chǎn)了外延石墨烯,這是在碳化硅晶面上生長的單層。
近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng),海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國瑜,士蘭微電子...
安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能...
11.3.3 感應(yīng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
11.3.3感應(yīng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)11.3電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:...
2022-04-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)碳化硅 605 0
10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計(jì)第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)A...
2022-04-11 標(biāo)簽:碳化硅 604 0
英飛凌高管談汽車技術(shù):毫米波雷達(dá)車內(nèi)大有所為,碳化硅上車進(jìn)程提速
3月14日,英飛凌科技在京公布了2022財(cái)年多項(xiàng)關(guān)鍵運(yùn)營成績(jī),并對(duì)未來行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和公司戰(zhàn)略進(jìn)行了解析。 據(jù)英飛凌全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、大中華區(qū)...
梅賽德斯-奔馳已與Wolfspeed建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
根據(jù) Wolfspeed 的說法,梅賽德斯-奔馳作為“豪華車的領(lǐng)先供應(yīng)商”,了解對(duì)卓越性能的需求。梅賽德斯計(jì)劃使用自己的半導(dǎo)體“讓一些最高效的電動(dòng)汽車上...
安森美以1.15億美元收購Qorvo的SiC JFET技術(shù)
安森美(onsemi,納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiCJFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及...
附錄B 雙曲函數(shù)的性質(zhì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
附錄B雙曲函數(shù)的性質(zhì)附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型...
2022-05-09 標(biāo)簽:碳化硅 600 0
隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大...
2024-12-27 標(biāo)簽:基座碳化硅第三代半導(dǎo)體 600 0
車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢(shì)
當(dāng)前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì),碳化硅材料七成以上來自美國公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯...
道達(dá)智能科技攜手長飛先進(jìn)AMHS項(xiàng)目KICKOFF會(huì)議順利召開
近日,道達(dá)智能科技攜手安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長飛先進(jìn)”)AMHS項(xiàng)目KICKOFF會(huì)議順利召開,雙方高層及項(xiàng)目組成員均出席本次會(huì)議。
全球首發(fā)!納微發(fā)布碳化硅史上首對(duì)吉祥物
從前,有一顆烏煙瘴氣的灰色星球,它艱難地緩慢旋轉(zhuǎn)著,沒有一絲綠色和生機(jī)。 直到有一天,兩位小超人的降臨! 沒錯(cuò),來者正是納微芯球的碳化硅小超人—— 碳寶...
2023-06-14 標(biāo)簽:碳化硅 595 0
9.3.3 開通過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.3.3開通過程9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP...
2022-03-28 標(biāo)簽:碳化硅 594 0
光伏MPPT設(shè)計(jì)中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對(duì)比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)設(shè)計(jì)中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
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